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品牌介绍

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。

英文全称: Rohm Semiconductor

中文全称: 罗姆

英文简称: Rohm

品牌地址: http://www.rohm.com/

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品牌型号
描述
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操作
DTC114EKAT146
DTC114EKAT146
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 50 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SMT3

¥0.11951

760

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.11951

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DTC143EKAT146
DTC143EKAT146
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SMT3

¥0.11661

2716

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.11661

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DTC043ZEBTL
DTC043ZEBTL
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3F(SOT-416FL)

¥0.16079

10700

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.16079

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DTC123JKAT146
DTC123JKAT146
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SMT3

¥0.08764

1613

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.08764

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DTC144EKAT146
DTC144EKAT146
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SMT3

¥0.15862

2388

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.15862

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DTC114TKAT146
DTC114TKAT146
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SMT3

¥0.42299

374

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.42299

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DTA144EKAT146
DTA144EKAT146
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SMT3

¥0.17166

925

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.17166

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DTC143EU3T106
DTC143EU3T106
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3

¥0.26799

790

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.26799

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DTA114EKAT146
DTA114EKAT146
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 50 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SMT3

¥0.21801

2772

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.21801

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DTA143EKAT146
DTA143EKAT146
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SMT3

¥0.09923

2761

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.09923

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DTC114YKAT146
DTC114YKAT146
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SMT3

¥0.13255

662

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.13255

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DTC123EKAT146
DTC123EKAT146
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SMT3

¥0.23467

138

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.23467

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DTC124EKAT146
DTC124EKAT146
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SMT3

¥0.15283

880

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.15282

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DTC143XKAT146
DTC143XKAT146
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SMT3

¥0.09199

2660

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.09199

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DTC143ZKAT146
DTC143ZKAT146
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SMT3

¥0.12096

4410

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.12096

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DTC113ZKAT146
DTC113ZKAT146
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SMT3

¥0.23757

485

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.23757

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DTC114EU3T106
DTC114EU3T106
晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3

¥0.30348

1599

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.30348

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DTD113ZCHZGT116
DTD113ZCHZGT116
晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SST3

¥1.81073

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.81073

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DTC043ZUBTL
DTC043ZUBTL
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3F

¥0.35997

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.35997

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DTC123JMT2L
DTC123JMT2L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VMT3

¥0.11951

1000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.11951

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