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品牌介绍

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。

英文全称: Rohm Semiconductor

中文全称: 罗姆

英文简称: Rohm

品牌地址: http://www.rohm.com/

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描述
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操作
DTA143TKAT146
DTA143TKAT146
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SMT3

¥0.12820

1400

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.12820

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DTA114YKAT146
DTA114YKAT146
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SMT3

¥0.15862

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.15862

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DTC115EKAT146
DTC115EKAT146
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 20毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SMT3

¥0.09778

1630

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.09778

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DTC114WUAT106
DTC114WUAT106
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3

¥0.08185

2900

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.08185

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DTC123YKAT146
DTC123YKAT146
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SMT3

¥0.09923

1500

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.09923

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DTC144EU3T106
DTC144EU3T106
晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3

¥0.16580

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.16580

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DTC113ZU3T106
DTC113ZU3T106
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3

¥1.44858

6031

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.44858

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DTD143ECHZGT116
DTD143ECHZGT116
晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SST3

¥0.24698

120

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.24698

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DTC114TCAT116
DTC114TCAT116
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SST3

¥1.73830

26264

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.73830

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DTA023JUBTL
DTA023JUBTL
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3F

¥1.88315

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.88315

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DTC014EUBTL
DTC014EUBTL
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 50 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3F

¥0.07605

2830

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.07605

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DTC124XEFRATL
DTC124XEFRATL
晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3

¥1.88315

5880

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.88315

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DTD113ZCT116
DTD113ZCT116
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SST3

¥2.19648

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥2.19648

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DTA123JU3T106
DTA123JU3T106
晶体管类别: PNP-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3

¥0.15934

600

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.15934

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DTA123YU3HZGT106
DTA123YU3HZGT106
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3

¥2.39016

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.39016

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DTA124EU3T106
DTA124EU3T106
晶体管类别: PNP-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3

¥0.12168

1500

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.12168

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DTC124EU3T106
DTC124EU3T106
晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3

¥1.44858

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.44858

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DTA113ZU3T106
DTA113ZU3T106
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3

¥1.44858

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.44858

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DTB114ECHZGT116
DTB114ECHZGT116
晶体管类别: PNP-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SST3

¥1.99291

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.99291

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DTA143XU3T106
DTA143XU3T106
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3

¥1.44858

5

5-7 工作日

- +

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