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品牌介绍

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。

英文全称: Rohm Semiconductor

中文全称: 罗姆

英文简称: Rohm

品牌地址: http://www.rohm.com/

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品牌型号
描述
价格
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操作
DTA144EETL
DTA144EETL
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3

¥0.13544

930

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.13544

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DTA124EETL
DTA124EETL
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3

¥0.14920

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.14920

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DTC143TETL
DTC143TETL
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3

¥2.75230

5332

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.75230

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DTA143ZCAT116
DTA143ZCAT116
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SST3

¥1.66587

73

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.66587

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DTA144EUBTL
DTA144EUBTL
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3F

¥0.26422

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.26422

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DTC143XETL
DTC143XETL
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3

¥0.24046

2900

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.24046

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DTC115TUAT106
DTC115TUAT106
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

¥0.10825

2940

2-3 工作日

- +

合计: ¥324.73500

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DTA043EUBTL
DTA043EUBTL
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3F

¥0.35997

1600

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.35997

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DTD513ZETL
DTD513ZETL
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 12伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 260兆赫 供应商设备包装: EMT3

¥0.55347

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.55347

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DTB113ZCHZGT116
DTB113ZCHZGT116
晶体管类别: PNP-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SST3

¥1.73830

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.73830

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DTB523YETL
DTB523YETL
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 12伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 260兆赫 供应商设备包装: EMT3

¥2.89716

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.89716

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DTC123YCAT116
DTC123YCAT116
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SST3

¥1.73830

36

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.73830

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DTC623TKT146
DTC623TKT146
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 600 mA 集电极击穿电压: 20伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SMT3

¥0.38216

10

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.38216

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DTA143XEFRATL
DTA143XEFRATL
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3

¥1.81073

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.81073

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DTC623TUT106
DTC623TUT106
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 600 mA 集电极击穿电压: 20伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: UMT3

¥3.40416

6885

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.40416

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DTA043ZUBTL
DTA043ZUBTL
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3F

¥0.20473

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.20473

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DTC014TUBTL
DTC014TUBTL
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3F

¥0.14196

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.14196

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DTC023YUBTL
DTC023YUBTL
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3F

¥2.02632

30

2-3 工作日

- +

合计: ¥2.02632

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DTC023EUBTL
DTC023EUBTL
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3F

¥0.09346

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.09346

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DTA044EUBTL
DTA044EUBTL
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3F

¥2.02632

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥2.02632

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