ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3 | ¥0.13544 | 930 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.13544 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3 | ¥0.14920 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.14920 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3 | ¥2.75230 | 5332 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.75230 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SST3 | ¥1.66587 | 73 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.66587 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3F | ¥0.26422 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.26422 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3 | ¥0.24046 | 2900 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.24046 | 立即购买 加入购物车 | ||
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 | ¥0.10825 | 2940 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥324.73500 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3F | ¥0.35997 | 1600 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.35997 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 12伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 260兆赫 供应商设备包装: EMT3 | ¥0.55347 | 3000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.55347 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: PNP-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SST3 | ¥1.73830 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.73830 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 12伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 260兆赫 供应商设备包装: EMT3 | ¥2.89716 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.89716 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SST3 | ¥1.73830 | 36 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.73830 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 600 mA 集电极击穿电压: 20伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SMT3 | ¥0.38216 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.38216 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3 | ¥1.81073 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.81073 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 600 mA 集电极击穿电压: 20伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥3.40416 | 6885 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.40416 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3F | ¥0.20473 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.20473 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3F | ¥0.14196 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.14196 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3F | ¥2.02632 | 30 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.02632 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3F | ¥0.09346 | 3000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.09346 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3F | ¥2.02632 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.02632 | 立即购买 加入购物车 |