品牌介绍
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SMT3 | ¥1.44858 | 314 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.44858 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SST3 | ¥2.24530 | 2990 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.24530 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SST3 | ¥2.24530 | 2990 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.24530 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SST3 | ¥2.24530 | 2948 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.24530 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F | ¥1.81073 | 2760 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.81073 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥0.68373 | 90 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.68373 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SST3 | ¥2.24530 | 1965 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.24530 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 60 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3F | ¥0.34828 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,044.84600 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 50 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3F | ¥1.44858 | 252 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.44858 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥2.24530 | 1826 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.24530 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F | ¥1.81073 | 65 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.81073 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W SC85 | ¥0.17093 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.17093 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥1.44858 | 198 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.44858 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F | ¥0.34828 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.34828 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥0.09706 | 1500 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.09706 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥2.31773 | 7480 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.31773 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3F | ¥0.33549 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,006.47300 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥0.10140 | 1600 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.10140 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3 | ¥0.18904 | 500 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥567.12000 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3F | ¥0.34828 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,044.84600 | 立即购买 加入购物车 |