品牌介绍
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。
久芯自营
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 晶体管类别: PNP-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3F（SOT-416FL） | ¥1.52101 | 2715 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.52101 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥2.39016 | 2975 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.39016 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥2.17287 | 22198 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.17287 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3F | ¥1.52101 | 2500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.52101 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥2.39016 | 2970 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.39016 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 20毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥1.52101 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.52101 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 | ¥0.14848 | 890 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,187.83200 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥1.52101 | 2070 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.52101 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥2.39016 | 2970 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.39016 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥0.15572 | 500 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.15572 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3F | ¥1.52101 | 1952 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.52101 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3 | ¥2.39016 | 2970 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.39016 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3F | ¥1.52101 | 1921 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.52101 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 350毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SST3 | ¥1.63306 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.63306 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥2.39016 | 2939 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.39016 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥1.52101 | 1588 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.52101 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SST3 | ¥2.39016 | 2930 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.39016 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 350毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SST3 | ¥1.38809 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.38809 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SST3 | ¥0.37550 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.37550 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 400毫安 集电极击穿电压: 20伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 35兆赫 供应商设备包装: UMT3F | ¥0.49136 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,474.07400 | 添加到BOM 立即询价 |