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品牌介绍

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。

英文全称: Rohm Semiconductor

中文全称: 罗姆

英文简称: Rohm

品牌地址: http://www.rohm.com/

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描述
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操作
DTA115EU3HZGT106
DTA115EU3HZGT106
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3

¥0.18976

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.18976

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DTC115GUAT106
DTC115GUAT106
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3

¥1.52101

515

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.52101

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DTC923TUBTL
DTC923TUBTL
TRANS PREBIAS NPN 20V 0.2W UMT3F

¥2.46259

2973

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.46259

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DTA124EU3HZGT106
DTA124EU3HZGT106
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3

¥2.39016

2865

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.39016

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DTC943TUBTL
DTC943TUBTL
TRANS PREBIAS NPN 20V 0.2W UMT3F

¥2.46259

2968

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.46259

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DTC115EU3HZGT106
DTC115EU3HZGT106
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3

¥2.39016

2865

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.39016

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DTB123YCHZGT116
DTB123YCHZGT116
晶体管类别: PNP-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SST3

¥1.70978

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.70978

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DTD513ZMT2L
DTD513ZMT2L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 12伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 260兆赫 供应商设备包装: VMT3

¥0.59385

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,750.76000

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DTA143XMFHAT2L
DTA143XMFHAT2L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VMT3

¥1.52101

272

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.52101

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DTC113ZU3HZGT106
DTC113ZU3HZGT106
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3

¥2.39016

2775

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.39016

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DTA124XEFRATL
DTA124XEFRATL
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3

¥1.52101

270

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.52101

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DTB543ZETL
DTB543ZETL
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 12伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 260兆赫 供应商设备包装: EMT3

¥0.26002

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥780.06000

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DTC144EEFRATL
DTC144EEFRATL
晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3

¥2.39016

2700

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.39016

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DTC043XUBTL
DTC043XUBTL
晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3F

¥1.52101

238

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.52101

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DTD543XETL
DTD543XETL
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 12伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 260兆赫 供应商设备包装: EMT3

¥0.64817

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,944.50100

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DTA143EEFRATL
DTA143EEFRATL
晶体管类别: PNP-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3

¥2.39016

2685

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.39016

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DTD113ECHZGT116
DTD113ECHZGT116
晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SST3

¥1.52101

152

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.52101

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DTC124TUAT106
DTC124TUAT106
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3

¥0.26770

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥803.09400

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DTC043EMT2L
DTC043EMT2L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VMT3

¥0.38532

200

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.38532

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DTA013ZEBTL
DTA013ZEBTL
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3F(SOT-416FL)

¥0.09771

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.09771

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