ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥0.18976 | 3000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.18976 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥1.52101 | 515 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.52101 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANS PREBIAS NPN 20V 0.2W UMT3F | ¥2.46259 | 2973 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.46259 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥2.39016 | 2865 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.39016 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANS PREBIAS NPN 20V 0.2W UMT3F | ¥2.46259 | 2968 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.46259 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥2.39016 | 2865 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.39016 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SST3 | ¥1.70978 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.70978 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 12伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 260兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥0.59385 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,750.76000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥1.52101 | 272 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.52101 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥2.39016 | 2775 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.39016 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3 | ¥1.52101 | 270 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.52101 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 12伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 260兆赫 供应商设备包装: EMT3 | ¥0.26002 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥780.06000 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3 | ¥2.39016 | 2700 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.39016 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3F | ¥1.52101 | 238 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.52101 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 12伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 260兆赫 供应商设备包装: EMT3 | ¥0.64817 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,944.50100 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3 | ¥2.39016 | 2685 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.39016 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SST3 | ¥1.52101 | 152 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.52101 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥0.26770 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥803.09400 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥0.38532 | 200 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.38532 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3F(SOT-416FL) | ¥0.09771 | 3000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.09771 | 立即购买 加入购物车 |