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品牌介绍

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。

英文全称: Rohm Semiconductor

中文全称: 罗姆

英文简称: Rohm

品牌地址: http://www.rohm.com/

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品牌型号
描述
价格
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数量
操作
DTA124TKAT146
DTA124TKAT146
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SMT3

¥1.59344

935

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.59344

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DTA114ECAT116
DTA114ECAT116
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 50 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SST3

¥0.71444

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,143.32000

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DTC123ECAT116
DTC123ECAT116
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SST3

¥0.59153

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.59153

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DTA143ZKAT146
DTA143ZKAT146
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SMT3

¥0.53815

900

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.53815

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DTC643TUT106
DTC643TUT106
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 600 mA 集电极击穿电压: 20伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: UMT3

¥3.40416

2706

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.40416

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DTC144TUAT106
DTC144TUAT106
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3

¥0.18107

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.18107

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DTB123YUT106
DTB123YUT106
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: UMT3

¥0.48611

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.48611

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DTC114EUBTL
DTC114EUBTL
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 50 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3F

¥1.44858

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.44858

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DTA123YCAT116
DTA123YCAT116
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SST3

¥1.66587

2664

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.66587

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DTB143EKT146
DTB143EKT146
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SMT3

¥0.33607

2482

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.33607

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DTC124EUBTL
DTC124EUBTL
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3F

¥0.12096

109

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.12096

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DTA123ECAT116
DTA123ECAT116
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SST3

¥1.66587

2650

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.66587

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DTB113EKT146
DTB113EKT146
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SMT3

¥0.34404

500

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.34404

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DTA114YU3T106
DTA114YU3T106
晶体管类别: PNP-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3

¥1.44858

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.44858

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DTA114YCAT116
DTA114YCAT116
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SST3

¥0.19722

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.19722

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DTC114YU3T106
DTC114YU3T106
晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3

¥1.44858

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.44858

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DTA143ECAT116
DTA143ECAT116
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SST3

¥0.19722

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.19722

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DTD143ECT216
DTD143ECT216
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SST3

¥3.69388

2421

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.69388

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DTC123JU3T106
DTC123JU3T106
晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3

¥0.15862

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.15862

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DTA124EEBTL
DTA124EEBTL
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3

¥1.66587

1481

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.66587

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