品牌介绍
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。
久芯自营
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SMT3 | ¥2.13138 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.13138 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SPT | ¥1.62241 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.62241 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SMT3 | ¥1.00224 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.00224 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SPT | ¥2.28024 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.28024 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SPT | ¥1.23129 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.23129 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SPT | ¥1.31821 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.31821 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 40伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SMT3 | ¥1.17532 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.17532 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3F（SOT-416FL） | ¥1.54998 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.54998 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SMT3 | ¥1.48107 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.48107 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3F（SOT-416FL） | ¥0.63233 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥0.63233 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SPT | ¥1.40512 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.40512 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3F（SOT-416FL） | ¥1.96474 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.96474 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SPT | ¥1.18494 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.18494 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3F（SOT-416FL） | ¥1.20232 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.20232 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 50 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SPT | ¥1.27475 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.27475 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3F（SOT-416FL） | ¥1.27475 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.27475 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SPT | ¥1.30981 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.30981 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3F（SOT-416FL） | ¥2.46180 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.46180 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SPT | ¥1.62241 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.62241 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3F（SOT-416FL） | ¥1.18297 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.18297 | 添加到BOM 立即询价 |