品牌介绍
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。
久芯自营
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥0.23032 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,842.59200 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3F（SOT-416FL） | ¥1.23129 | 211 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.23129 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥1.44858 | 2575 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.44858 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3 | ¥0.20570 | 200 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.20570 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 260兆赫 供应商设备包装: EMT3 | ¥1.29874 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.29874 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥0.23032 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,842.59200 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3F | ¥1.44858 | 2505 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.44858 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3F（SOT-416FL） | ¥1.23129 | 145 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.23129 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 260兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥1.94707 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.94707 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥0.23032 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,842.59200 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3F（SOT-416FL） | ¥0.09607 | 2780 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.09607 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥2.39016 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.39016 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 260兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥1.30372 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.30372 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 260兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥1.99422 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.99422 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥2.39016 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.39016 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 350毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SST3 | ¥1.30372 | 2979 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.30372 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SMT3 | ¥1.44858 | 2430 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.44858 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥1.70253 | 96 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.70253 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3 | ¥1.08736 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.08736 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥1.44858 | 2414 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.44858 | 添加到BOM 立即询价 |