ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 260兆赫 供应商设备包装: EMT3 | ¥0.52594 | 1090 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.52594 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥0.34549 | 2970 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.34549 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 260兆赫 供应商设备包装: EMT3 | ¥1.76727 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.76727 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 50 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SMT3 | ¥1.44858 | 2261 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.44858 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3 | ¥2.53502 | 73 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.53502 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 260兆赫 供应商设备包装: EMT3 | ¥1.41618 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.41618 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3F | ¥0.07605 | 1550 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.07605 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 50 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3 | ¥2.46259 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.46259 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 260兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥1.10624 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.10624 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥0.07750 | 500 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.07750 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥1.44858 | 2123 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.44858 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT6 | ¥1.33801 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.33801 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3 | ¥1.44858 | 7325 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.44858 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SPT | ¥1.38177 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.38177 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥0.14341 | 900 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.14341 | 立即购买 加入购物车 | ||
TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3 | ¥1.44858 | 7990 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.44858 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥0.28415 | 805 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.28415 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 20毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3 | ¥2.75230 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.75230 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3 | ¥0.23911 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.23911 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SMT3 | ¥1.44858 | 1716 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.44858 | 添加到BOM 立即询价 |