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品牌介绍

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。

英文全称: Rohm Semiconductor

中文全称: 罗姆

英文简称: Rohm

品牌地址: http://www.rohm.com/

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描述
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操作
DTC124ECAT116
DTC124ECAT116
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SST3

¥0.19356

0

2-3 工作日

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合计: ¥0.19356

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DTD123ECHZGT116
DTD123ECHZGT116
晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SST3

¥0.36092

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.36092

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DTB123TCHZGT116
DTB123TCHZGT116
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 40伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SST3

¥0.36092

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.36092

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DTB114GCHZGT116
DTB114GCHZGT116
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SST3

¥2.60744

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.60744

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DTC123JCAT116
DTC123JCAT116
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SST3

¥1.90000

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.90000

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DTC143XCAT116
DTC143XCAT116
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SST3

¥1.87594

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.87594

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DTB143ECHZGT116
DTB143ECHZGT116
晶体管类别: PNP-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SST3

¥1.90000

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.90000

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DTC143TEBTL
DTC143TEBTL
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3

¥1.37615

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.37615

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DTC114EUAT106
DTC114EUAT106
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3

¥0.10140

500

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.10140

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DTC114YMFHAT2L
DTC114YMFHAT2L
晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VMT3

¥1.81073

6462

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.81073

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DTC113ZUAT106
DTC113ZUAT106
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3

¥0.09488

1140

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.09488

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DTC125TUAT106
DTC125TUAT106
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3

¥1.44858

23890

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.44858

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DTC143EUAT106
DTC143EUAT106
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3

¥0.11951

2122

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.11951

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DTA143EMFHAT2L
DTA143EMFHAT2L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VMT3

¥1.81073

417

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.81073

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DTC114YUAT106
DTC114YUAT106
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 70 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3

¥0.15862

2976

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.15862

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DTC024XMT2L
DTC024XMT2L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 50 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VMT3

¥1.88315

4168

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.88315

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DTC143ZUAT106
DTC143ZUAT106
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3

¥0.12831

3500

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.12831

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DTA014YUBTL
DTA014YUBTL
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 70 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3F

¥0.09778

2900

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.09778

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DTA113TKAT146
DTA113TKAT146
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SMT3

¥0.12114

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.12114

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DTC115ECAHZGT116
DTC115ECAHZGT116
晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 350毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SST3

¥1.44858

4994

5-7 工作日

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合计: ¥1.44858

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