品牌介绍
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。
久芯自营
原装正品 1片起订 快至当天发货
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 晶体管类别: PNP-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥2.46259 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.46259 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SMT3 | ¥1.33801 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.33801 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥1.52101 | 36 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.52101 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥2.46259 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.46259 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3 | ¥1.33930 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.33930 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥2.46259 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.46259 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 350毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SST3 | ¥1.30372 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.30372 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3 | ¥0.99874 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥0.99874 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥2.46259 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.46259 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SMT3 | ¥0.08909 | 3000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.08909 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 350毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SST3 | ¥1.30372 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.30372 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SMT3 | ¥0.07895 | 2100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.07895 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥0.25452 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥763.54800 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 350毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SST3 | ¥1.30372 | 1 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.30372 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥0.11444 | 1080 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.11444 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥0.25452 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥763.54800 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 350毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SST3 | ¥1.30372 | 10 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.30372 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3 | ¥0.51651 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥0.51651 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥0.25452 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥763.54800 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 600 mA 集电极击穿电压: 15伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SMT3 | ¥1.61563 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.61563 | 添加到BOM 立即询价 |