品牌介绍
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。
久芯自营
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3 | ¥0.10720 | 2927 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.10720 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 20毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3 | ¥1.00544 | 3000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.00544 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 260兆赫 供应商设备包装: EMT3 | ¥2.89716 | 381 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.89716 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 260兆赫 供应商设备包装: EMT3 | ¥2.89716 | 150 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.89716 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 12伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 260兆赫 供应商设备包装: EMT3 | ¥0.26002 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.26002 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-346 | ¥1.46727 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.46727 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 260兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥1.11914 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.11914 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 120毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT5 | ¥1.61130 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.61130 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SMT3 | ¥1.30807 | 200 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.30807 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 600 mA 集电极击穿电压: 20伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥0.35180 | 2810 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.35180 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SMT3 | ¥3.62145 | 547 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.62145 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 20毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3 | ¥1.54112 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.54112 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SMT3 | ¥1.56447 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.56447 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 260兆赫 供应商设备包装: EMT3 | ¥1.87881 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.87881 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 260兆赫 供应商设备包装: EMT3 | ¥1.40373 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.40373 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 260兆赫 供应商设备包装: EMT3 | ¥1.41961 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.41961 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 260兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥1.00914 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.00914 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 50 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3F（SOT-416FL） | ¥1.57895 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.57895 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3F（SOT-416FL） | ¥0.11589 | 2130 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.11589 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SPT | ¥1.08145 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.08145 | 添加到BOM 立即询价 |