品牌介绍
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。
久芯自营
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3F | ¥0.28754 | 2465 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.28754 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3F | ¥1.88315 | 434 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.88315 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 70 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3F | ¥0.06953 | 2996 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.06953 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3F（SOT-416FL） | ¥1.52101 | 8968 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.52101 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3F | ¥0.22308 | 675 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.22308 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 60 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3F | ¥1.88315 | 290 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.88315 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SMT3 | ¥1.59344 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.59344 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SMT3 | ¥1.59344 | 5890 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.59344 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥2.18092 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.18092 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3 | ¥2.02801 | 2980 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.02801 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥2.02801 | 1265 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.02801 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | TRANS PREBIAS PNP 0.2W UMT3F | ¥1.52101 | 2446 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.52101 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | TRANS PREBIAS NPN 0.2W UMT3F | ¥0.29700 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.29700 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3F（SOT-416FL） | ¥1.80053 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.80053 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SST3 | ¥2.24530 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.24530 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST | ¥1.59344 | 2897 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.59344 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 20伏 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SST3 | ¥2.31773 | 2785 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.31773 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SST3 | ¥0.29138 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥874.14600 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SST3 | ¥0.29138 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥874.14600 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SST3 | ¥2.31773 | 354 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.31773 | 添加到BOM 立即询价 |