品牌介绍
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89 | ¥0.22355 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.22355 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 60 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3F（SOT-416FL） | ¥0.22355 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥670.63500 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SST3 | ¥1.73830 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.73830 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SST3 | ¥1.84577 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.84577 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3F | ¥1.52101 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.52101 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3F | ¥1.05284 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.05284 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 50 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3F | ¥0.14486 | 42 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.14486 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3F | ¥0.18252 | 1000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.18252 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥0.18687 | 1000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.18687 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥0.38387 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,070.99200 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥0.13979 | 1000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.13979 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3F（SOT-416FL） | ¥0.47369 | 500 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.47369 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SST3 | ¥1.78661 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.78661 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3F | ¥1.28289 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.28289 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥0.84980 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥0.84980 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SMT3 | ¥0.15790 | 3000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.15790 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 260兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥1.70932 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.70932 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 60 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3F（SOT-416FL） | ¥0.24698 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.24698 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥0.15862 | 470 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.15862 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 260兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥1.34718 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.34718 | 添加到BOM 立即询价 |