品牌介绍
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 600 mA 集电极击穿电压: 20伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SMT3 | ¥0.45624 | 2555 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.45624 | 立即购买 加入购物车 | |
 | TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 | ¥0.22244 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.22244 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥1.44858 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.44858 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 600 mA 集电极击穿电压: 20伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥2.20184 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.20184 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥0.18687 | 600 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.18687 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 600 mA 集电极击穿电压: 15伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SMT3 | ¥0.57723 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥0.57723 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SPT | ¥1.68987 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.68987 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SMT3 | ¥1.72978 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.72978 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3 | ¥1.52101 | 5 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.52101 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SMT3 | ¥0.95606 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥0.95606 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3 | ¥0.17850 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.17850 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3F（SOT-416FL） | ¥1.52101 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.52101 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3F（SOT-416FL） | ¥0.28972 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥869.14800 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥1.81073 | 8000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.81073 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥1.81073 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.81073 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3F（SOT-416FL） | ¥0.21533 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥645.99300 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3 | ¥1.59344 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.59344 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3F（SOT-416FL） | ¥0.20787 | 1000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.20787 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 20毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3F（SOT-416FL） | ¥0.21533 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥645.99300 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3F（SOT-416FL） | ¥0.18469 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥554.08200 | 立即购买 加入购物车 |