品牌介绍
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。
久芯自营
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥0.18252 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.18252 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 260兆赫 供应商设备包装: EMT3 | ¥2.89716 | 6000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.89716 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 | ¥1.37615 | 1175 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.37615 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥1.59344 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.59344 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥1.59344 | 7750 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.59344 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 | ¥0.50198 | 200 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.50198 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥1.89096 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.89096 | 立即购买 加入购物车 | |
 | TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 | ¥1.37615 | 2425 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.37615 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥1.59344 | 5277 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.59344 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3F（SOT-416FL） | ¥1.59344 | 2930 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.59344 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 12伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 260兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥0.70220 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,617.59200 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3F | ¥1.59344 | 2900 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.59344 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SMT3 | ¥0.12675 | 1300 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.12675 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 12伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 260兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥0.70220 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,617.59200 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥1.59344 | 2285 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.59344 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SMT3 | ¥0.12385 | 167 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.12385 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 12伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 260兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥0.70220 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,617.59200 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SMT3 | ¥0.13617 | 600 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.13617 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 12伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 260兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥0.70220 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,617.59200 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SMT3 | ¥0.17962 | 1000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.17962 | 立即购买 加入购物车 |