品牌介绍
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。
久芯自营
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 1A 集电极击穿电压: 60 V 最大功率: 1.5瓦 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: MPT3 | ¥4.85274 | 2 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.85274 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3 | ¥0.36287 | 3000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.36287 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥0.09488 | 1160 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.09488 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3 | ¥0.28610 | 67 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.28610 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 50 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥0.15790 | 205 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.15790 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 50 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥0.24119 | 635 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.24119 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SMT3 | ¥0.44761 | 1591 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.44761 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3 | ¥2.75230 | 8250 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.75230 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥0.12168 | 2245 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.12168 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 20毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥0.92637 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.92637 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥1.44858 | 666 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.44858 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 350毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SST3 | ¥1.44858 | 630 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.44858 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3F（SOT-416FL） | ¥1.44858 | 96 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.44858 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥1.44858 | 590 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.44858 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 1A 集电极击穿电压: 60 V 最大功率: 2 W 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: MPT3 | ¥1.22695 | 98 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.22695 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥1.44858 | 530 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.44858 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥0.24814 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.24814 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥0.13440 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.13440 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3F（SOT-416FL） | ¥0.47680 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,430.40000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥0.31155 | 2400 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.31155 | 立即购买 加入购物车 |