特色
- 标准数字晶体管
- 内置偏置电阻器
- 小型表面安装组件
- 无铅/符合RoHS
DTD543EMT2L
- 描述:晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 12伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 260兆赫 供应商设备包装: VMT3
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 8000
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 8000+ | 0.70219 | 5617.59200 |
- 库存: 0
- 单价: ¥0.70220
-
数量:
- +
- 总计: ¥5,617.59
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 部件状态 可供货
- 晶体管类别 NPN-预偏置
- 集电极最大截止电流 500nA
- 安装类别 表面安装
- 基极电阻 (R1) 4.7 kOhms
- 发射极电阻 (R2) 4.7 kOhms
- 最大功率 150 mW
- 包装/外壳 SOT-723
- 最大集电极电流 (Ic) 500 mA
- 供应商设备包装 VMT3
- 集电极击穿电压 12伏
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 300mV @ 5毫安, 100毫安
- 特征频率 260兆赫
- 最小直流增益 115@100毫安，2V
DTD543EMT2L 产品详情
这些是ROHM在世界上首次发明和销售的“数字晶体管”的标准产品。
DTD543EMT2L 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | DTD113E | 安盛美 (onsemi) | SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | ¥0.14486 |
 | DTD113ZCHZGT116 | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SST3 | ¥1.81073 |
 | DTD113ZKT146 | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SMT3 | ¥0.41719 |
 | DTD114EKT146 | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SMT3 | ¥0.96693 |
 | DTD123TKT146 | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 40伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SMT3 | ¥3.74136 |
 | DTD143EKT146 | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SMT3 | ¥0.25133 |
 | DTD113ZUT106 | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥1.48987 |
 | DTD143ECHZGT116 | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SST3 | ¥0.24698 |
 | DTD143EG-AE3-R | 晶体管类型：1个NPN-预偏置 功率(Pd)：200mW 集电极电流(Ic)：500mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V | ¥0.21004 | |
 | DTD123YCA | 时科 (SHIKUES) | 暂无 | ¥0.19465 |
DTD543EMT2L所属分类：单个预偏置双极晶体管，DTD543EMT2L 由 罗姆 (Rohm) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DTD543EMT2L价格参考￥0.702199，你可以下载 DTD543EMT2L中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DTD543EMT2L规格参数、现货库存、封装信息等信息！
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
