特色
- 内置偏置电阻器，R1=1kΩ，R2=10kΩ
- 内置偏置电阻器可以在不连接外部输入电阻器的情况下配置逆变器电路（参见内部电路）。
- 操作时只需设置开/关条件，使电路设计变得容易。
- 补充PNP类型：DTB113ZC
DTD113ZCHZGT116
- 描述:晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SST3
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 1.81072 | 1.81072 |
| 10+ | 1.48479 | 14.84795 |
| 100+ | 0.78802 | 78.80280 |
| 500+ | 0.51830 | 259.15100 |
| 1000+ | 0.35236 | 352.36700 |
| 3000+ | 0.31781 | 953.45400 |
| 6000+ | 0.27638 | 1658.33400 |
| 15000+ | 0.23496 | 3524.40000 |
| 30000+ | 0.22112 | 6633.78000 |
| 75000+ | 0.20729 | 15546.90000 |
- 库存: 3000
- 单价: ¥1.81073
-
数量:
- +
- 总计: ¥1.81
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规格参数
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 部件状态 可供货
- 发射极电阻 (R2) 10千欧姆
- 最大功率 200毫瓦
- 安装类别 表面安装
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 基极电阻 (R1) 1千欧姆
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 300mV @ 2.5毫安, 50毫安
- 特征频率 200兆赫
- 集电极击穿电压 -
- 集电极最大截止电流 -
- 晶体管类别 NPN-预偏置+二极管
- 最大集电极电流 (Ic) 500 mA
- 最小直流增益 82 @ 50毫安, 5V
- 供应商设备包装 SST3
DTD113ZCHZGT116 产品详情
DTD113ZC是一种数字晶体管（电阻内置型晶体管）。内置偏置电阻器可以在不连接外部输入电阻器的情况下配置逆变器电路。
DTD113ZCHZGT116 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | DTD113E | 安盛美 (onsemi) | SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | ¥0.14486 |
| DTD113ZCHZGT116 | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SST3 | ¥1.81073 |
 | DTD113ZKT146 | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SMT3 | ¥0.41719 |
 | DTD114EKT146 | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SMT3 | ¥0.96693 |
 | DTD123TKT146 | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 40伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SMT3 | ¥3.74136 |
 | DTD143EKT146 | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SMT3 | ¥0.25133 |
 | DTD113ZUT106 | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥1.48987 |
 | DTD143ECHZGT116 | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SST3 | ¥0.24698 |
 | DTD143EG-AE3-R | 晶体管类型：1个NPN-预偏置 功率(Pd)：200mW 集电极电流(Ic)：500mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V | ¥0.21004 | |
 | DTD123YCA | 时科 (SHIKUES) | 暂无 | ¥0.19465 |
DTD113ZCHZGT116所属分类：单个预偏置双极晶体管，DTD113ZCHZGT116 由 罗姆 (Rohm) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DTD113ZCHZGT116价格参考￥1.810725，你可以下载 DTD113ZCHZGT116中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DTD113ZCHZGT116规格参数、现货库存、封装信息等信息！
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
