【单个预偏置双极晶体管厂家_单个预偏置双极晶体管型号采购】|第165页-久芯网

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电子元器件分类
分立半导体
晶体管
单个预偏置双极晶体管

什么是单个预偏置双极晶体管:

预偏置双极晶体管具有内部电阻，旨在不施加输入信号的情况下将器件维持在偏置或工作点附近。晶体管偏置使晶体管能够更有效地工作并产生稳定、不失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元件的数量，从而降低了项目成本。

最大集电极电流 (Ic):
300毫安
70 mA
700 mA
3A
1A
400毫安
500 mA
200毫安
60 mA
800 mA
80 mA
50 mA
20毫安
100毫安
30毫安
600 mA
更多
集电极击穿电压:
20伏
40伏
30伏
80 V
50 V
60 V
15伏
12伏
更多
最大功率:
150 mW
100 mW
235毫瓦
254毫瓦
230毫瓦
250毫瓦
400毫瓦
310 mW
125毫瓦
350毫瓦
120毫瓦
330毫瓦
260毫瓦
325毫瓦
720 mW
1 W
200毫瓦
246毫瓦
2 W
3 W
202毫瓦
280毫瓦
50 mW
1.5瓦
300毫瓦
338 mW
360毫瓦
500 mW
340毫瓦
320毫瓦
更多
制造厂商:
英飞凌 (Infineon)
松下电子元件 (Panasonic)
安世 (Nexperia)
罗姆 (Rohm)
江苏长电/长晶 (CJ)
扬州扬杰 (Yangzhou Yangjie)
安世半导体 (Nexperia)
DComponents (DComponents)
达尔科技 (Diodes rporated)
恩智浦 (NXP)
东芝 (Toshiba)
扬杰 (YANGJIE)
台湾典琦科技股份有限公司 (Comchip)
安盛美 (onsemi)
瑞特隆 (Rectron)
瑞萨电子 (Renesas)
松下 (Panasonic)
德欧泰克半导体 (Diotec)
微型商业组件 (Micro)
更多
供应商设备包装:
SMini3-G1
SMT3；MPAK
SOT-346
SC-70（SOT323）
SSSMini3-F1
MINI3-G3-B
SSSMini3-F2
SOT-23
SSSMini3-F2-B
SPT
SST3
SMini3-F2-B
X1-DFN1006-3
SMT3
SMINI6-G1
Mini3-G1
SSMini5-F2
EMT3
EMT5
SOT-23-3
SOT-23-3L
EMT6
SSMini3-F3-B
SC-59-3
ML3-N2
DFN1412D-3
MiniP3-F1
TO-236AB
DFN1010D-3
SMini3-F2
EMT3F（SOT-416FL）
SC-70
NS-B1
SOT-523
SOT-723
SC-89-3
SC-75
TO-92S
PG-SOT323-3
UMT3
CST3
SC-70-3（SOT323）
ML4-N1
PG-SOT23
DFN1006B-3
SOT-1123
VESM
dfn110d-3
SSMini3-F1
SSMini3-F3
MPT3
SOT-23-3 (TO-236)
DFN1006-3
SSM
PG-SOT23-3-11
SC-59
S-Mini
SOT-363
SOT-523F
SOT-323
SOT-883
SOT-23F
SC-75，SOT-416
UMT3F
TO-92-3
VMT3
SOT-223 (TO-261)
更多
特征频率:
30兆赫
150兆赫
100兆赫
35兆赫
160兆赫
110兆赫
140兆赫
130兆赫
250兆赫
55 MHz
80 MHz
260兆赫
230兆赫
200兆赫
210兆赫
300兆赫
225兆赫
180兆赫
170兆赫
190兆赫
更多
晶体管类别:
PNP-预偏
NPN-预偏置
NPN-预偏置+二极管
PNP-预偏置+二极管

当前"单个预偏置双极晶体管"共 3359 条相关库存

品牌型号	描述	价格	库存	交期	数量	操作
DDTA143EE-7-F 达尔科技 (Diodes rporated)	晶体管类别: PNP-预偏最大集电极电流 (Ic): 100毫安集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫供应商设备包装: SOT-523	¥0.37558	2990	2-3 工作日	- + 合计: ¥0.37558	立即购买加入购物车
DDTB113EC-7-F 达尔科技 (Diodes rporated)	晶体管类别: PNP-预偏最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦特征频率: 200兆赫供应商设备包装: SOT-23-3	¥2.07918	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥2.07918	添加到BOM 立即询价
DDTB114GU-7-F 达尔科技 (Diodes rporated)	晶体管类别: PNP-预偏最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦特征频率: 200兆赫供应商设备包装: SOT-323	¥1.65138	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥1.65138	添加到BOM 立即询价
DDTB123EC-7-F 达尔科技 (Diodes rporated)	晶体管类别: PNP-预偏最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦特征频率: 200兆赫供应商设备包装: SOT-23-3	¥1.39310	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥1.39310	添加到BOM 立即询价
DDTB123YU-7-F 达尔科技 (Diodes rporated)	晶体管类别: PNP-预偏最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦特征频率: 200兆赫供应商设备包装: SOT-323	¥1.82521	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥1.82521	添加到BOM 立即询价
DDTB142TU-7-F 达尔科技 (Diodes rporated)	晶体管类别: PNP-预偏最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦特征频率: 200兆赫供应商设备包装: SOT-323	¥2.21633	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥2.21633	添加到BOM 立即询价
DDTB143TU-7-F 达尔科技 (Diodes rporated)	晶体管类别: PNP-预偏最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦特征频率: 200兆赫供应商设备包装: SOT-323	¥1.33831	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥1.33831	添加到BOM 立即询价
DDTD114TU-7-F 达尔科技 (Diodes rporated)	晶体管类别: NPN-预偏置最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦特征频率: 200兆赫供应商设备包装: SOT-323	¥1.57285	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥1.57285	添加到BOM 立即询价
DDTD123TU-7-F 达尔科技 (Diodes rporated)	晶体管类别: NPN-预偏置最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦特征频率: 200兆赫供应商设备包装: SOT-323	¥1.14438	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥1.14438	添加到BOM 立即询价
NSVMMUN2113LT3G 安盛美 (onsemi)	晶体管类别: PNP-预偏最大集电极电流 (Ic): 100毫安集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)	¥1.18668	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥1.18668	添加到BOM 立即询价
MUN2238T1G 安盛美 (onsemi)	晶体管类别: NPN-预偏置最大集电极电流 (Ic): 100毫安集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦供应商设备包装: SC-59	¥0.17308	0	2-3 工作日	- + 合计: ¥519.25200	立即购买加入购物车
BCR133E6393HTSA1 英飞凌 (Infineon)	晶体管类别: NPN-预偏置最大集电极电流 (Ic): 100毫安集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦特征频率: 130兆赫供应商设备包装: PG-SOT23	¥1.90215	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥1.90215	添加到BOM 立即询价
BCR135E6359HTMA1 英飞凌 (Infineon)	晶体管类别: NPN-预偏置最大集电极电流 (Ic): 100毫安集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦特征频率: 150兆赫供应商设备包装: PG-SOT23	¥0.14486	597435	5-7 工作日	- + 合计: ¥2,172.87000	添加到BOM 立即询价
BCR148E6393HTSA1 英飞凌 (Infineon)	晶体管类别: NPN-预偏置最大集电极电流 (Ic): 100毫安集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦特征频率: 100兆赫供应商设备包装: PG-SOT23	¥0.14486	48000	5-7 工作日	- + 合计: ¥2,172.87000	添加到BOM 立即询价
BCR183E6359HTMA1 英飞凌 (Infineon)	晶体管类别: NPN-预偏置最大集电极电流 (Ic): 100毫安集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦特征频率: 200兆赫供应商设备包装: PG-SOT23	¥2.19686	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥2.19686	添加到BOM 立即询价
BCR192E6785HTSA1 英飞凌 (Infineon)	晶体管类别: PNP-预偏最大集电极电流 (Ic): 100毫安集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦特征频率: 200兆赫供应商设备包装: PG-SOT23	¥0.14486	123000	5-7 工作日	- + 合计: ¥2,172.87000	添加到BOM 立即询价
BCR198E6393HTSA1 英飞凌 (Infineon)	晶体管类别: PNP-预偏最大集电极电流 (Ic): 100毫安集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦特征频率: 190兆赫供应商设备包装: PG-SOT23	¥1.08865	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥1.08865	添加到BOM 立即询价
BCR503E6393HTSA1 英飞凌 (Infineon)	晶体管类别: NPN-预偏置最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 330毫瓦特征频率: 100兆赫供应商设备包装: PG-SOT23	¥1.52551	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥1.52551	添加到BOM 立即询价
BCR505E6778HTSA1 英飞凌 (Infineon)	晶体管类别: NPN-预偏置最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 330毫瓦特征频率: 100兆赫供应商设备包装: PG-SOT23	¥1.85418	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥1.85418	添加到BOM 立即询价
RN2107MFV,L3F 东芝 (Toshiba)	晶体管类别: PNP-预偏最大集电极电流 (Ic): 100毫安集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM	¥1.46727	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥1.46727	添加到BOM 立即询价

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