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什么是单个预偏置双极晶体管:

预偏置双极晶体管具有内部电阻,旨在不施加输入信号的情况下将器件维持在偏置或工作点附近。晶体管偏置使晶体管能够更有效地工作并产生稳定、不失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元件的数量,从而降低了项目成本。

最大集电极电流 (Ic):
  • 300毫安
  • 70 mA
  • 700 mA
  • 3A
  • 1A
  • 400毫安
  • 500 mA
  • 200毫安
  • 60 mA
  • 800 mA
  • 80 mA
  • 50 mA
  • 20毫安
  • 100毫安
  • 30毫安
  • 600 mA
更多
集电极击穿电压:
  • 20伏
  • 40伏
  • 30伏
  • 80 V
  • 50 V
  • 60 V
  • 15伏
  • 12伏
更多
最大功率:
  • 150 mW
  • 100 mW
  • 235毫瓦
  • 254毫瓦
  • 230毫瓦
  • 250毫瓦
  • 400毫瓦
  • 310 mW
  • 125毫瓦
  • 350毫瓦
  • 120毫瓦
  • 330毫瓦
  • 260毫瓦
  • 325毫瓦
  • 720 mW
  • 1 W
  • 200毫瓦
  • 246毫瓦
  • 2 W
  • 3 W
  • 202毫瓦
  • 280毫瓦
  • 50 mW
  • 1.5瓦
  • 300毫瓦
  • 338 mW
  • 360毫瓦
  • 500 mW
  • 340毫瓦
  • 320毫瓦
更多
制造厂商:
  • 英飞凌 (Infineon)
  • 松下电子元件 (Panasonic)
  • 安世 (Nexperia)
  • 罗姆 (Rohm)
  • 江苏长电/长晶 (CJ)
  • 扬州扬杰 (Yangzhou Yangjie)
  • 安世半导体 (Nexperia)
  • DComponents (DComponents)
  • 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 恩智浦 (NXP)
  • 东芝 (Toshiba)
  • 扬杰 (YANGJIE)
  • 台湾典琦科技股份有限公司 (Comchip)
  • 安盛美 (onsemi)
  • 瑞特隆 (Rectron)
  • 瑞萨电子 (Renesas)
  • 松下 (Panasonic)
  • 德欧泰克半导体 (Diotec)
  • 微型商业组件 (Micro)
更多
供应商设备包装:
  • SMini3-G1
  • SMT3;MPAK
  • SOT-346
  • SC-70(SOT323)
  • SSSMini3-F1
  • MINI3-G3-B
  • SSSMini3-F2
  • SOT-23
  • SSSMini3-F2-B
  • SPT
  • SST3
  • SMini3-F2-B
  • X1-DFN1006-3
  • SMT3
  • SMINI6-G1
  • Mini3-G1
  • SSMini5-F2
  • EMT3
  • EMT5
  • SOT-23-3
  • SOT-23-3L
  • EMT6
  • SSMini3-F3-B
  • SC-59-3
  • ML3-N2
  • DFN1412D-3
  • MiniP3-F1
  • TO-236AB
  • DFN1010D-3
  • SMini3-F2
  • EMT3F(SOT-416FL)
  • SC-70
  • NS-B1
  • SOT-523
  • SOT-723
  • SC-89-3
  • SC-75
  • TO-92S
  • PG-SOT323-3
  • UMT3
  • CST3
  • SC-70-3(SOT323)
  • ML4-N1
  • PG-SOT23
  • DFN1006B-3
  • SOT-1123
  • VESM
  • dfn110d-3
  • SSMini3-F1
  • SSMini3-F3
  • MPT3
  • SOT-23-3 (TO-236)
  • DFN1006-3
  • SSM
  • PG-SOT23-3-11
  • SC-59
  • S-Mini
  • SOT-363
  • SOT-523F
  • SOT-323
  • SOT-883
  • SOT-23F
  • SC-75,SOT-416
  • UMT3F
  • TO-92-3
  • VMT3
  • SOT-223 (TO-261)
更多
特征频率:
  • 30兆赫
  • 150兆赫
  • 100兆赫
  • 35兆赫
  • 160兆赫
  • 110兆赫
  • 140兆赫
  • 130兆赫
  • 250兆赫
  • 55 MHz
  • 80 MHz
  • 260兆赫
  • 230兆赫
  • 200兆赫
  • 210兆赫
  • 300兆赫
  • 225兆赫
  • 180兆赫
  • 170兆赫
  • 190兆赫
更多
晶体管类别:
  • PNP-预偏
  • NPN-预偏置
  • NPN-预偏置+二极管
  • PNP-预偏置+二极管
当前"单个预偏置双极晶体管"共 3359 条相关库存
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品牌型号
描述
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操作
DDTA114TE-7-F
DDTA114TE-7-F
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-523

¥0.46442

72000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,393.24500

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NSVMUN2237T1G
NSVMUN2237T1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59

¥0.41193

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥3,707.32500

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FJY4010R
FJY4010R
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 40伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-523F

¥0.14486

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,738.29600

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DDTB114EC-7-F
DDTB114EC-7-F
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

¥0.33375

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,001.25900

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DDTC114WUA-7
DDTC114WUA-7
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥0.50063

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,501.88700

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BCR512E6327HTSA1
BCR512E6327HTSA1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 330毫瓦 特征频率: 100兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23

¥3.18688

5998

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.18688

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DTA123EU3T106
DTA123EU3T106
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3

¥1.44858

590

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.44858

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DTA143TET1G
DTA143TET1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SC-75,SOT-416

¥0.50464

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥6,308.02500

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BCR129WH6327
BCR129WH6327
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: PG-SOT323-3

¥0.14486

268000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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SMMUN2134LT1G
SMMUN2134LT1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.57236

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.57236

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DRC3115G0L
DRC3115G0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: SSSMini3-F2-B

¥3.11445

3824

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.11445

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FJV3111RMTF
FJV3111RMTF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 40伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

¥0.14486

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥869.14800

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DDTA114YE-7-F
DDTA114YE-7-F
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-523

¥0.46442

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,393.24500

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NSVMUN2112T1G
NSVMUN2112T1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59

¥0.26256

297000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,362.99500

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DDTB123YC-7-F
DDTB123YC-7-F
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

¥0.17158

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥514.73100

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DDTB122TU-7
DDTB122TU-7
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥0.50063

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,501.88700

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DTDG14GPT100
DTDG14GPT100
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 1A 集电极击穿电压: 60 V 最大功率: 2 W 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: MPT3

¥1.22695

98

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.22695

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DTA123YU3T106
DTA123YU3T106
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3

¥1.44858

530

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.44858

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DTA113EET1G
DTA113EET1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SC-75,SOT-416

¥0.26017

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥3,902.47500

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FJN3309RTA
FJN3309RTA
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 40伏 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: TO-92-3

¥0.15038

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥2,255.76000

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