预偏置双极晶体管具有内部电阻,旨在不施加输入信号的情况下将器件维持在偏置或工作点附近。晶体管偏置使晶体管能够更有效地工作并产生稳定、不失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元件的数量,从而降低了项目成本。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥0.24814 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.24814 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: SMini3-F2-B | ¥3.11445 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.11445 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-523F | ¥0.14486 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥434.57400 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-523 | ¥0.46442 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,393.24500 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59 | ¥0.26256 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,362.99500 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-323 | ¥0.33375 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,001.25900 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-323 | ¥0.50063 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,501.88700 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥0.13440 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.13440 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 特征频率: 230兆赫 供应商设备包装: TO-236AB | ¥1.30372 | 30 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.30372 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SC-75,SOT-416 | ¥0.16586 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,487.93000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR | ¥0.14486 | 152000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 260毫瓦 供应商设备包装: SOT-723 | ¥2.24530 | 3846 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.24530 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: SMini3-F2-B | ¥3.11445 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.11445 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-523F | ¥0.14486 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥434.57400 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-523 | ¥0.46442 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,393.24500 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3F(SOT-416FL) | ¥0.47680 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,430.40000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-323 | ¥1.73830 | 52494 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.73830 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-323 | ¥2.39016 | 3339 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.39016 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥0.31155 | 2400 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.31155 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59 | ¥0.23597 | 5780 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.23597 | 立即购买 加入购物车 |