预偏置双极晶体管具有内部电阻,旨在不施加输入信号的情况下将器件维持在偏置或工作点附近。晶体管偏置使晶体管能够更有效地工作并产生稳定、不失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元件的数量,从而降低了项目成本。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) | ¥0.32644 | 1840 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.32644 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: SOT-23 | ¥0.14486 | 154808 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: TO-236AB | ¥0.28769 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.28769 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 180兆赫 供应商设备包装: DFN1006B-3 | ¥0.14486 | 152783 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: TO-236AB | ¥0.10720 | 3000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.10720 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 230兆赫 供应商设备包装: DFN1006B-3 | ¥0.14486 | 150000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM | ¥0.74095 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.74095 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM | ¥1.30372 | 7975 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.30372 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 特征频率: 180兆赫 供应商设备包装: TO-236AB | ¥1.30372 | 7866 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.30372 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM | ¥1.30372 | 7860 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.30372 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 供应商设备包装: TO-236AB | ¥1.30372 | 7275 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.30372 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: TO-236AB | ¥1.30372 | 6105 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.30372 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VESM | ¥1.30372 | 6900 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.30372 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VESM | ¥1.30372 | 6733 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.30372 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VESM | ¥0.23829 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.23829 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VESM | ¥1.30372 | 4232 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.30372 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: Mini3-G1 | ¥1.30372 | 4422 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.30372 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 20毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: TO-236AB | ¥1.30372 | 3014 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.30372 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 600 mA 集电极击穿电压: 20伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: Mini3-G1 | ¥1.30372 | 2973 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.30372 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SC-70 | ¥1.30372 | 2900 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.30372 | 添加到BOM 立即询价 |