什么是单个预偏置双极晶体管:
预偏置双极晶体管具有内部电阻，旨在不施加输入信号的情况下将器件维持在偏置或工作点附近。晶体管偏置使晶体管能够更有效地工作并产生稳定、不失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元件的数量，从而降低了项目成本。
最大集电极电流 (Ic):
- 300毫安
- 70 mA
- 700 mA
- 3A
- 1A
- 400毫安
- 500 mA
- 200毫安
- 60 mA
- 800 mA
- 80 mA
- 50 mA
- 20毫安
- 100毫安
- 30毫安
- 600 mA
更多
集电极击穿电压:
- 20伏
- 40伏
- 30伏
- 80 V
- 50 V
- 60 V
- 15伏
- 12伏
更多
最大功率:
- 150 mW
- 100 mW
- 235毫瓦
- 254毫瓦
- 230毫瓦
- 250毫瓦
- 400毫瓦
- 310 mW
- 125毫瓦
- 350毫瓦
- 120毫瓦
- 330毫瓦
- 260毫瓦
- 325毫瓦
- 720 mW
- 1 W
- 200毫瓦
- 246毫瓦
- 2 W
- 3 W
- 202毫瓦
- 280毫瓦
- 50 mW
- 1.5瓦
- 300毫瓦
- 338 mW
- 360毫瓦
- 500 mW
- 340毫瓦
- 320毫瓦
更多
制造厂商:
- 英飞凌 (Infineon)
- 松下电子元件 (Panasonic)
- 安世 (Nexperia)
- 罗姆 (Rohm)
- 江苏长电/长晶 (CJ)
- 扬州扬杰 (Yangzhou Yangjie)
- 安世半导体 (Nexperia)
- DComponents (DComponents)
- 达尔科技 (Diodes rporated)
- 恩智浦 (NXP)
- 东芝 (Toshiba)
- 扬杰 (YANGJIE)
- 台湾典琦科技股份有限公司 (Comchip)
- 安盛美 (onsemi)
- 瑞特隆 (Rectron)
- 瑞萨电子 (Renesas)
- 松下 (Panasonic)
- 德欧泰克半导体 (Diotec)
- 微型商业组件 (Micro)
更多
供应商设备包装:
- SMini3-G1
- SMT3；MPAK
- SOT-346
- SC-70（SOT323）
- SSSMini3-F1
- MINI3-G3-B
- SSSMini3-F2
- SOT-23
- SSSMini3-F2-B
- SPT
- SST3
- SMini3-F2-B
- X1-DFN1006-3
- SMT3
- SMINI6-G1
- Mini3-G1
- SSMini5-F2
- EMT3
- EMT5
- SOT-23-3
- SOT-23-3L
- EMT6
- SSMini3-F3-B
- SC-59-3
- ML3-N2
- DFN1412D-3
- MiniP3-F1
- TO-236AB
- DFN1010D-3
- SMini3-F2
- EMT3F（SOT-416FL）
- SC-70
- NS-B1
- SOT-523
- SOT-723
- SC-89-3
- SC-75
- TO-92S
- PG-SOT323-3
- UMT3
- CST3
- SC-70-3（SOT323）
- ML4-N1
- PG-SOT23
- DFN1006B-3
- SOT-1123
- VESM
- dfn110d-3
- SSMini3-F1
- SSMini3-F3
- MPT3
- SOT-23-3 (TO-236)
- DFN1006-3
- SSM
- PG-SOT23-3-11
- SC-59
- S-Mini
- SOT-363
- SOT-523F
- SOT-323
- SOT-883
- SOT-23F
- SC-75，SOT-416
- UMT3F
- TO-92-3
- VMT3
- SOT-223 (TO-261)
更多
特征频率:
- 30兆赫
- 150兆赫
- 100兆赫
- 35兆赫
- 160兆赫
- 110兆赫
- 140兆赫
- 130兆赫
- 250兆赫
- 55 MHz
- 80 MHz
- 260兆赫
- 230兆赫
- 200兆赫
- 210兆赫
- 300兆赫
- 225兆赫
- 180兆赫
- 170兆赫
- 190兆赫
更多
晶体管类别:
- PNP-预偏
- NPN-预偏置
- NPN-预偏置+二极管
- PNP-预偏置+二极管
久芯自营
原装正品 1片起订 快至当天发货
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 晶体管类别: PNP-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥1.73830 | 4300 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.73830 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VESM | ¥0.21193 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,695.41600 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 180兆赫 供应商设备包装: DFN1006B-3 | ¥0.14486 | 190000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: ML3-N2 | ¥1.15886 | 6588 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.15886 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SST3 | ¥1.73830 | 2895 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.73830 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM | ¥0.21193 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,695.41600 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 20毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 230兆赫 供应商设备包装: DFN1006B-3 | ¥0.14486 | 189658 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 600 mA 集电极击穿电压: 20伏 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: SMini3-F2-B | ¥3.47659 | 4100 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.47659 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SST3 | ¥1.73830 | 2436 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.73830 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM | ¥0.21193 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,695.41600 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 180兆赫 供应商设备包装: DFN1006B-3 | ¥0.14486 | 169326 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-70 | ¥0.69604 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.69604 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SST3 | ¥1.90000 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.90000 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 180兆赫 供应商设备包装: DFN1006B-3 | ¥0.14486 | 168027 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM | ¥0.21193 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,695.41600 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: TO-236AB | ¥0.25120 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.25120 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 180兆赫 供应商设备包装: DFN1006B-3 | ¥0.14486 | 166468 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: TO-236AB | ¥0.21338 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥640.12800 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 350毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SST3 | ¥1.23129 | 2511 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.23129 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 180兆赫 供应商设备包装: DFN1006B-3 | ¥0.14486 | 159975 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 |