预偏置双极晶体管具有内部电阻,旨在不施加输入信号的情况下将器件维持在偏置或工作点附近。晶体管偏置使晶体管能够更有效地工作并产生稳定、不失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元件的数量,从而降低了项目成本。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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晶体管类别: PNP-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3F(SOT-416FL) | ¥1.27475 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.27475 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SPT | ¥1.30981 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.30981 | 添加到BOM 立即询价 | ||
NEXPERIA PDTD113 - 50V, 500 MA U | ¥0.21729 | 30000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,146.57827 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3F(SOT-416FL) | ¥2.46180 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.46180 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SPT | ¥1.62241 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.62241 | 添加到BOM 立即询价 | ||
PDTB113/123/143/114EQA SERIES - | ¥0.21643 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2,138.13173 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3F(SOT-416FL) | ¥1.18297 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.18297 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SPT | ¥1.47755 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.47755 | 添加到BOM 立即询价 | ||
PDTB113Z_123Y_143XQA_SER - 50 V, | ¥0.21729 | 30000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,146.57827 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3F(SOT-416FL) | ¥1.33269 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.33269 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SPT | ¥1.46838 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.46838 | 添加到BOM 立即询价 | ||
PDTD113/123/143/114EQA SERIES - | ¥0.21729 | 25000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,146.57827 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3F(SOT-416FL) | ¥1.81669 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.81669 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SMT3 | ¥1.07546 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.07546 | 添加到BOM 立即询价 | ||
PDTB113/123/143/114EQA SERIES - | ¥0.21729 | 25000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,146.57827 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3F(SOT-416FL) | ¥1.17673 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.17673 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SPT | ¥1.34295 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.34295 | 添加到BOM 立即询价 | ||
PDTD113 - 50 V, 500 MA NPN RESIS | ¥0.21729 | 25000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,146.57827 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3F(SOT-416FL) | ¥1.35250 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.35250 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: TO-236AB | ¥0.21338 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥640.12800 | 添加到BOM 立即询价 |