RF 晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,流经器件的电流由电场控制。该系列中的器件设计用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管,类型包括E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N沟道、P沟道、pHEMT、碳化硅、2个N沟道和4个N沟道。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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晶体管类别: LDMOS 额定电压: 68 V 频率: 880MHz 输出端功率: 33W 供应商设备包装: NI-780H-2L | ¥555.89258 | 100 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,223.57030 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS(双) 额定电压: 65 V 额定电流(单位:安培): 10A. 频率: 2.496GHz~2.69GHz 输出端功率: 9W 供应商设备包装: NI-780S-4L4L-8 | ¥589.42720 | 732 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,357.70881 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 68 V 频率: 880MHz 输出端功率: 27W 供应商设备包装: NI-780H-2L | ¥598.84297 | 139 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,395.37189 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 65 V 频率: 2.11GHz~2.17GHz 输出端功率: 28瓦 供应商设备包装: NI-880S | ¥602.46442 | 50 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,409.85769 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 65 V 额定电流(单位:安培): 18A 输出端功率: 9W 供应商设备包装: SOT502B | ¥604.27515 | 47 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,417.10059 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 68 V 频率: 1.99GHz 输出端功率: 19瓦 供应商设备包装: NI-780H-2L | ¥615.93622 | 50 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,463.74486 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: pHEMT FET 额定电流(单位:安培): 300毫安 频率: 26GHz 输出端功率: 30分贝m 供应商设备包装: Chip | ¥617.45723 | 100 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥617.45723 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS(双) 额定电压: 65 V 频率: 1.99GHz 输出端功率: 40W 供应商设备包装: NI-780S-4 | ¥620.64410 | 6600 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,482.57640 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS(双) 额定电压: 65 V 频率: 1.99GHz 输出端功率: 40W 供应商设备包装: NI-780-4 | ¥620.64410 | 2245 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,482.57640 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS(双) 额定电压: 65 V 频率: 2.03GHz 输出端功率: 20W 供应商设备包装: NI-780S-4 | ¥627.01785 | 44 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,508.07141 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 65 V 额定电流(单位:安培): 10A. 频率: 865MHz ~ 895MHz 输出端功率: 135瓦 供应商设备包装: NI-780H-2L | ¥633.10189 | 250 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,532.40756 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 68 V 频率: 2.66GHz 输出端功率: 20W 供应商设备包装: NI-780H-2L | ¥634.18832 | 39 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,536.75330 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 卷边 额定电压: 84 V 频率: 3.3GHz~3.9GHz 输出端功率: 15W 供应商设备包装: 440196 | ¥636.28877 | 33 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥636.28877 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 65 V 频率: 2.17GHz 输出端功率: 28瓦 供应商设备包装: NI-780S | ¥640.05507 | 399 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,560.22029 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 68 V 频率: 880MHz 输出端功率: 35W 供应商设备包装: NI-780H-2L | ¥648.81898 | 96 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,595.27593 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 68 V 额定电流(单位:安培): 10A. 频率: 880MHz ~ 960MHz 输出端功率: 35W 供应商设备包装: NI-780S | ¥648.81898 | 47 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,595.27593 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS(双),共源 额定电压: 65 V 额定电流(单位:安培): 10.2A 频率: 2.14GHz 输出端功率: 8W 供应商设备包装: CDFM4 | ¥652.44043 | 30 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,609.76173 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS(双),共源 额定电压: 65 V 额定电流(单位:安培): 2.8A. 频率: 1.93GHz~1.995GHz 输出端功率: 600W 供应商设备包装: SOT1258-4 | ¥679.23916 | 100 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥679.23916 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 高电子迁移率晶体管 额定电压: 160伏 频率: 5GHz 输出端功率: 25瓦 供应商设备包装: 360BH | ¥1,180.66513 | 14 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,361.33026 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS(双),共源 额定电压: 65 V 额定电流(单位:安培): 2.8A. 频率: 2.11GHz~2.17GHz 输出端功率: 600W 供应商设备包装: SOT1258-4 | ¥679.23916 | 100 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥679.23916 | 添加到BOM 立即询价 |