什么是场效应射频晶体管:
RF 晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，流经器件的电流由电场控制。该系列中的器件设计用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管，类型包括E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N沟道、P沟道、pHEMT、碳化硅、2个N沟道和4个N沟道。
频率:
- 2.58GHz
- 500MHz
- 0Hz～2.5GHz
- 450兆赫
- 617MHz ~ 960MHz
- 2.6GHz
- 2.3GHz
- 2.4GHz~2.5GHz
- 2.11GHz～2.18GHz
- 2.9GHz~3.4GHz
- 1.2GHz~1.4GHz
- 235兆赫
- 4GHz
- 1.88GHz～2.03GHz
- 175兆赫
- 870MHz
- 2.7GHz~2.9GHz
- 600MHz
- 2.7GHz~3.1GHz
- 5.2GHz ~ 5.9GHz
- 1.8MHz~500MHz
- 26GHz
- 65MHz
- 0Hz～3GHz
- 1.805GHz～2.17GHz
- 1.8MHz~470MHz
- 1.8GHz~2GHz
- 1.9GHz
- 1千赫兹
- 2.62GHz
- 800MHz
- 1.8GHz~3.6GHz
- 1.805GHz～1.88GHz
- 900MHz ~ 930MHz
- 512MHz
- 1.99GHz
- 2.5GHz
- 2.17GHz
- 1.93GHz～1.9GHz
- 520MHz
- 3.3GHz~3.9GHz
- 2.11GHz～2.16GHz
- 80MHz
- 20GHz
- 1.8GHz~2.1GHz
- 225兆赫
- 2.12GHz
- 81.36MHz
- 1.3GHz
- 2.3GHz~2.7GHz
- 4.4GHz ~ 5.9GHz
- 2GHz~2.2GHz
- 5.5GHz ~ 5.8GHz
- 2.496GHz~2.69GHz
- 860MHz
- 2.7GHz~3.5GHz
- 1.8GHz~2.2GHz
- 1.03GHz
- 0Hz～4GHz
- 8GHz
- 1.4GHz
- 2.11GHz
- 960兆赫
- 30MHz ~ 2.2GHz
- 1.81GHz
- 2.1GHz~2.2GHz
- 3.1GHz~3.5GHz
- 1.93GHz
- 920MHz～960MHz
- 1.93GHz～1.99GHz
- 700MHz ~ 1.3GHz
- 902MHz ~ 928MHz
- 2.45GHz
- 2.5GHz~2.7GHz
- 920MHz
- 880MHz
- 2.14GHz
- 3GHz
- 945MHz
- 470MHz
- 470MHz ~ 800MHz
- 2.11GHz～2.17GHz
- 230兆赫
- 1.2GHz
- 136MHz~941MHz
- 6GHz
- 705MHz
- 960MHz~1.215GHz
- 2GHz~2.7GHz
- 2.9GHz~3.5GHz
- 100MHz
- 869MHz ~ 960MHz
- 108MHz
- 2.16GHz
- 400MHz
- 3.55GHz
- 1.8MHz~250MHz
- 1.03GHz～1.09GHz
- 18GHz
- 1GHz
更多
输出端功率:
- 7W
- 25瓦
- 750mW
- 330瓦
- 140瓦
- 27分贝m
- 18W
- 1000W
- 3瓦
- 28.8dBm
- 11.5瓦
- 22W
- 10W
- 500W
- 455W
- 50W
- 770W
- 8W
- 125瓦
- 1400瓦
- 35.5W
- 400瓦
- 22分贝m
- 1.26瓦
- 250瓦
- 4瓦
- 23W
- 1.5瓦
- 75W
- 63W
- 9W
- 650W
- 170瓦
- 320瓦
- 25分贝m
- 130瓦
- 4.5瓦
- 36W
- 12W
- 76W
- 125毫瓦
- 40W
- 28瓦
- 200瓦
- 280瓦
- 900W
- 2W
- 115瓦
- 450mW
- 30.5分贝
- 600W
- 1500W
- 2.4瓦
- 29瓦
- 120瓦
- 350瓦
- 7.3W
- 116瓦
- 9.5W
- 100W
- 1250W
- 1800瓦
- 14W
- 30W
- 750W
- 70W
- 43分贝m
- 27W
- 15W
- 37分贝m
- 19瓦
- 5W
- 47瓦
- 380瓦
- 317W
- 300瓦
- 21分贝m
- 150瓦
- 6.8W
- 30分贝m
- 16W
- 700W
- 20W
- 72W
- 60W
- 550W
- 220瓦
- 6W
- 1900W
- 256瓦
- 24瓦
- 1.3瓦
- 22.5W
- 24分贝m
- 1200瓦
- 450瓦
- 890W
- 45W
- 33W
- 85W
更多
额定电压:
- 1200伏
- 28伏
- 50 V
- 200伏
- 48伏
- 135伏
- 16伏
- 179伏
- 75 V
- 115伏
- 12伏
- 20伏
- 32伏
- 40伏
- 170伏
- 182伏
- 150伏
- 130伏
- 90 V
- 108伏
- 84 V
- 100伏
- 112伏
- 5 V
- 65 V
- 13伏
- 104伏
- 12.5伏
- 25伏
- 7 V
- 13.6伏
- 9 V
- 80 V
- 450伏
- 3伏
- 133伏
- 18伏
- 177伏
- 125伏
- 14伏
- 105伏
- 180伏
- 10伏
- 160伏
- 30伏
- 94伏
- 70 V
- 900 V
- 120伏
- 1000伏
- 4伏
- 68 V
- 600 V
- 110伏
- 7.5 V
- 60 V
- 15伏
- 500 V
- 35伏
- 6 V
- 4.5伏
- 89 V
- 8 V
- 11伏
- 106伏
- 66 V
- 700 V
- 5.5 V
- 250伏
- 114.5伏
更多
制造厂商:
- 英飞凌 (Infineon)
- NTE电子 (NTE)
- 泰戈尔 (Tagore)
- 恩智浦 (NXP)
- 赛尔集团 (CEL)
- 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 安盛美 (onsemi)
- 德州仪器 (Texas)
- 集成技术 (Integra)
- 安谱隆 (Ampleon)
- 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed)
- 中央半导体 (Central)
- 韩国威皮亚 (WAVEPIA)
- 固态公司 (Solid State )
- 模拟器件公司 (Analog)
- 马康 (MACOM)
- 博通 (Broadcom)
- 安世半导体 (Nexperia)
- 罗切斯特电子 (Rochester)
- 东芝 (Toshiba)
- 创维 (SKYWORKS)
- 微芯 (Microchip)
- 瑞萨电子 (Renesas)
- 微波 (Microwave)
- 士兰微 (SILAN)
更多
额定电流（单位：安培）:
- 22A
- 10A
- 50A
- 15毫安
- 8A
- 1.5A.
- 800毫安
- 10.5A
- 800A
- 360毫安
- 60毫安
- 6.5毫安
- 9A
- 1A
- 8毫安
- 4毫安
- 330毫安
- 30毫安
- 36A
- 24A
- 6.3A
- 12A
- 88A
- 18毫安
- 300毫安
- 40A
- 240毫安
- 2A
- 3.5A
- 4.2A
- 49A
- 1.3A
- 2.A.
- 2.8A.
- 13A
- 40毫安
- 68毫安
- 3A
- 3.6A
- 100A.
- 10毫安
- 100毫安
- 8.7A
- 10A.
- 7毫安
- 2.1A
- 1.4A
- 90毫安
- 26A
- 14A
- 42A
- 13毫安
- 30A
- 25A.
- 4A
- 20毫安
- 9.5A
- 85毫安
- 15A
- 1.5A
- 700毫安
- 25毫安
- 5A
- 70毫安
- 97毫安
- 10.2A
- 55毫安
- 120毫安
- 28A
- 16A
- 500毫安
- 4.5A
- 3.A.
- 56A
- 280毫安
- 32A
- 20A
- 60A
- 6A
- 1.4A.
- 1.7A
- 12.1A
- 110毫安
- 42毫安
- 88毫安
- 950毫安
- 17A
- 16.5A
- 1毫安
- 33A
- 7A
- 250毫安
- 900毫安
- 250毫安，1A
- 18A
- 1.A.
- 5毫安
- 2.5A
- 50毫安
- 25毫安，20毫安
更多
供应商设备包装:
- OM-780-2
- RF-CST3
- 16-HSOP
- 6-DFN (4.5x4)
- SOT143（SC-61）
- NI-860C3
- SOT1258-4
- TO-270-2
- SOT1258-1
- OM-780-2 Gull
- sot339a
- NI-400
- TO-272 WB-4
- 10 PowerSO
- TO-247
- NI-360
- SOT1273-1
- SOT-23-3
- NI-880
- 440095
- NI-780S-4
- SOT1250-4
- NI-880H-2L
- SMQ
- SOT1483-1
- TO-270 WB-4
- NI-400S
- OM-780G-4L
- 20-PQFN（8x8）
- M174
- PLD-1.5
- 4-Micro-X
- SOT467C
- Chip
- 3-CP
- 440162
- TO-220-3
- NI-1230
- 12-DFN（4x3）
- 12-HVSON（6x4）
- TO-270 WB-4 Gull
- NI-780S-4L2L
- PG-DSO-20-63
- Die
- 16-DFN（4x6）
- NI-780S-4L
- LDMOST
- SOT1214C
- 4-HSOPF
- SOT-1482-1
- NI-780
- TO-92
- PowerFLAT（5x5）
- 368-03, Style 2
- TO-92-3
- NI-780S-4S2S
- 440217
- sot1721-2
- SOT502A
- 440210
- SOT502B
- SOT539B
- DFM6
- NI-1230S
- NI-780H-2L
- CDFM2
- PG-SON-10
- 79A
- 4-Super Mini Mold
- 440206
- 440201
- NI-360HF
- 440166
- NI-1230-4H
- 375-04, Style 2
- TO-272-2
- TO-272-8
- PL84A1
- TO-270-2 GULL
- 440117
- NI-360H-2SB
- NI-400S-240
- NI-400S-2S
- 440199
- 24-PQFN（8x8）
- PLD-1.5W
- OMP-780-16G-1
- 8-SOIC
- OMP-400-8G-1
- NI-780S
- 16-HVSON（6x4）
- H-36248-2
- SOT-1258-7
- PL95A1
- 8-SOIC-EP
- 20-LGA（7x7）
- NI-780-4
- 440224
- 440193
- 2-smd
更多
晶体管类别:
- LDMOS（双）
- P-通道
- 异质结场效应晶体管
- LDMOS（双），共源
- 4 N通道
- 卷边
- 碳化硅MESFET
- E-pHEMT
- N通道GaAs HJ-FET
- 金属半导体场效应晶体管
- pHEMT FET
- 2个N通道（双通道）
- 高电子迁移率晶体管
- 砷化镓场效应晶体管
- n通道
- 赣方言
- LDMOS
- N通道双门
- MESFET双栅极
- N通道JFET
- 2个N通道（双）公共源
更多
久芯自营
原装正品 1片起订 快至当天发货
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 晶体管类别: 高电子迁移率晶体管 额定电压: 160伏 频率: 5GHz 输出端功率: 60W | ¥1,332.04174 | 14 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,664.08348 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: LDMOS 额定电压: 66 V 额定电流（单位：安培）: 10A. 频率: 1GHz 输出端功率: 39瓦 供应商设备包装: NI-880H-2L | ¥673.29998 | 78 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,693.19994 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 晶体管类别: LDMOS 额定电压: 66 V 频率: 940兆赫 输出端功率: 39瓦 供应商设备包装: NI-880 | ¥673.29998 | 40 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,693.19994 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 晶体管类别: LDMOS（双），共源 额定电压: 65 V 额定电流（单位：安培）: 2.8A. 频率: 1.805GHz～1.88GHz 输出端功率: 600W 供应商设备包装: SOT1258-4 | ¥675.47285 | 52 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥675.47285 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | CLF1G0035-200 - 200W BROADBAND R | ¥2,607.37157 | 13 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,607.37157 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 晶体管类别: LDMOS（双），共源 额定电压: 65 V 额定电流（单位：安培）: 2.8A. 频率: 1.805GHz～1.88GHz 输出端功率: 600W 供应商设备包装: SOT1258-4 | ¥675.47285 | 29 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥675.47285 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 额定电压: 50 V 频率: 2GHz~6GHz 输出端功率: 41分贝m 供应商设备包装: Die | ¥4,345.74000 | 4 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,345.74000 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 晶体管类别: LDMOS 额定电压: 65 V 额定电流（单位：安培）: 10A. 频率: 2.11GHz～2.17GHz 输出端功率: 24瓦 供应商设备包装: NI-780S | ¥677.42844 | 905 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,709.71375 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: LDMOS（双） 额定电压: 65 V 频率: 1.99GHz 输出端功率: 40W 供应商设备包装: NI-780-4 | ¥367.25849 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥367.25849 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 晶体管类别: LDMOS（双） 额定电压: 65 V 频率: 2.14GHz 输出端功率: 48W 供应商设备包装: NI-1230 | ¥691.84181 | 312 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,767.36723 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: LDMOS（双） 额定电压: 65 V 频率: 1.99GHz 输出端功率: 40W 供应商设备包装: NI-780-4 | ¥1,652.75445 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,652.75445 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 金属半导体场效应晶体管 额定电压: 6 V 额定电流（单位：安培）: 170毫安 频率: 28GHz 输出端功率: 28.5分贝m 供应商设备包装: Chip | ¥703.86502 | 100 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥703.86502 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: LDMOS（双） 额定电压: 65 V 频率: 1.99GHz 输出端功率: 40W 供应商设备包装: NI-780S-4L | ¥642.67593 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥642.67593 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: LDMOS 额定电压: 65 V 额定电流（单位：安培）: 2.8A. 频率: 2.496GHz~2.69GHz 输出端功率: 380瓦 供应商设备包装: SOT-1258-7 | ¥643.71274 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥64,371.27380 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: N通道JFET 额定电压: 25伏 额定电流（单位：安培）: 60毫安 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) | ¥0.75471 | 29835 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.75471 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类别: LDMOS 额定电压: 110伏 额定电流（单位：安培）: 2.5毫安 频率: 10MHz～600MHz 输出端功率: 300瓦 供应商设备包装: TO-272 WB-4 | ¥725.15915 | 442 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,175.47744 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: LDMOS（双） 额定电压: 65 V 频率: 1.99GHz 输出端功率: 40W 供应商设备包装: NI-780S-4L | ¥145.75612 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥145.75612 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: pHEMT FET 额定电压: 8 V 频率: 3.55GHz 输出端功率: 3瓦 供应商设备包装: PLD-1.5 | ¥653.26467 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥653.26467 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: LDMOS（双），共源 额定电压: 65 V 频率: 2.6GHz~2.7GHz 输出端功率: 65W 供应商设备包装: 8-DFM | ¥665.18794 | 1 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥665.18794 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: N通道JFET 额定电压: 25伏 额定电流（单位：安培）: 30毫安 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) | ¥1.90789 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.90789 | 立即购买 加入购物车 |