分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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P-CHANNEL POWER MOSFET | ¥6.01161 | 17815 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,170.19013 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Tc) 最大功耗: 240W(Tc) 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥9.99520 | 7600 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,168.95883 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL MOSFET | ¥0.72429 | 45000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,121.44541 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 230W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥19.28350 | 1 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4,840.15775 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 400毫安 (Tc) 最大功耗: 3W (Tc) 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.92517 | 2057 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.92517 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.6A (Tc) 最大功耗: 3.13W(Ta),45W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.41817 | 10614 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,160.48464 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 1.8W(Ta)、120W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: 175摄氏度(TJ) | ¥13.32694 | 300 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.29057 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 620 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 最大功耗: 70W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥10.71949 | 2500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.71949 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 130A(Tc) 最大功耗: 293W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥22.01842 | 1666 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.01842 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 700 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A(Tc) 最大功耗: 48W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.95318 | 5064 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.29978 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.1A (Ta) 最大功耗: 900mW (Ta) 供应商设备包装: SuperSOT-8. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.01161 | 15000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,170.19013 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安(Ta) 最大功耗: 350mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-323 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.95558 | 7893 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.95558 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥9.99520 | 3985 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,168.95883 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tc) 最大功耗: 73W (Tc) 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.41817 | 10517 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,160.48464 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.99059 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥744.65766 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Ta) 最大功耗: 1.25W(Ta) 供应商设备包装: TSMT6(SC-95) 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥4.92517 | 5176 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.92517 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Ta) 最大功耗: 3W (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥13.39937 | 25522 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,184.09650 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.2A(Tc) 最大功耗: 2W(Tc) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥4.56303 | 54 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.56303 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: TO-252,(D-Pak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥6.95318 | 3048 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.29978 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.2A(Tc) 最大功耗: 43W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.01161 | 6114 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,170.19013 | 添加到BOM 立即询价 |