分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 41A (Tc) 最大功耗: 230W(Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥10.14006 | 14389 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,169.97284 | 添加到BOM 立即询价 | ||
PFET CHPFT 20V 4.9A 65MOH | ¥0.72429 | 27000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.57665 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 560 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Tc) 最大功耗: 208W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-3-2 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥35.70750 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35.70750 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Tc) 最大功耗: 3.13W(Ta)、54W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.11445 | 4632 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,192.57069 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥4.41817 | 5362 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,178.15732 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Ta) 最大功耗: 2W(Ta),25W(Tc) 供应商设备包装: TO-220ML 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥8.76391 | 4569 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,182.21334 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: TO-263AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.95318 | 2098 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.29978 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥13.54422 | 5413 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,180.61990 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 260毫安(Ta) 最大功耗: 360mW (Ta), 2.3W (Tc) 供应商设备包装: DFN0606-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.10044 | 9840 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.10044 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Ta) 最大功耗: 293W(Ta) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥6.01161 | 2400 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,170.19013 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.7A(Tc) 最大功耗: 3.3W(Tc) 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥4.56303 | 24 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.56303 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 340毫安 (Ta) 最大功耗: 200mW 供应商设备包装: SOT-323 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度 | ¥2.10044 | 116845 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.10044 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Ta) 最大功耗: 800mW (Ta) 供应商设备包装: 5-MCPH 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥0.72429 | 16750 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.57665 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥22.52542 | 313 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.52542 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥3.11445 | 3606 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,192.57069 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.8A (Ta) 最大功耗: 1.9W(Ta) 供应商设备包装: 8-MLP, MicroFET (3x1.9) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.41817 | 5268 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,160.48464 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A(Ta) 最大功耗: 3W (Ta) 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥13.54422 | 1599 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,180.61990 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 380毫安 (Ta) 最大功耗: 380mW (Ta), 2.8W (Tc) 供应商设备包装: DFN0606-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.10044 | 8748 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.10044 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.4A(Tc) 最大功耗: 147W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.01161 | 1919 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,170.19013 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.3A (Ta), 37A (Tc) 最大功耗: 810mW (Ta), 20.8W (Tc) 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.56303 | 1467 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.56303 | 添加到BOM 立即询价 |