分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120毫安(Tj) 最大功耗: 1W(Tc) 供应商设备包装: TO-92 (TO-226) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥7.89766 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥7.89766 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: 8-HUSON (2.7x2) 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥2.75230 | 24000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,201.84160 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 170W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥15.24558 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥15.24558 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.8A (Tc) 最大功耗: 38W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.12845 | 1343 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,171.56628 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 47A (Tc) 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.33173 | 4000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.61750 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥1.73830 | 15000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.17287 | 27500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,162.00565 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 45伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A(Ta) 最大功耗: 700mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT3 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥5.21489 | 4677 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.21489 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.75230 | 3572 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,201.84160 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Tc) 最大功耗: 48W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥2.51256 | 75 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.51256 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 214W(Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥5.29746 | 365 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5.29746 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.3A(Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.73830 | 12045 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,181.56148 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥3.33173 | 3600 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.61750 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Ta) 最大功耗: 1W(Ta),23W(Tc) 供应商设备包装: TP-FA 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥2.17287 | 20300 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,162.00565 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 66A (Tc) 最大功耗: 150W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥4.12845 | 1257 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.43783 | 添加到BOM 立即询价 | ||
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥1.23129 | 245999 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.61309 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Ta) 最大功耗: 1.25W(Ta) 供应商设备包装: TSMT5 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥4.92517 | 7018 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.92517 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 800毫安 (Tc) 最大功耗: 11W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO251-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.82473 | 148355 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,191.99126 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12.5A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥12.38536 | 4935 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.38536 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 38A (Tc) 最大功耗: 313W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥24.98801 | 3100 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.98801 | 添加到BOM 立即询价 |