分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: TO-252-3 (DPAK) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.81073 | 265239 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.49145 | 添加到BOM 立即询价 | ||
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥1.23129 | 59755 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.61309 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Tc) 最大功耗: 57W (Tc) 供应商设备包装: IPAK (TO-251AA) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.62701 | 30 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5.62701 | 立即购买 加入购物车 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥3.40416 | 11500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,188.87681 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.24530 | 1570000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,159.97764 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Tc) 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.27331 | 11834 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,166.56868 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Tc) 最大功耗: 48W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥2.89716 | 26014 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,201.84160 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥1.81073 | 160000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,145.70913 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.3A (Ta), 28A (Tc) 最大功耗: 3.2W(Ta)、125W(Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥34.69349 | 2987 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥34.69349 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Tc) 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: IPAK (TO-251AA) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥1.32473 | 38865 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.32473 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc) 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥3.40416 | 8653 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.47265 | 添加到BOM 立即询价 | ||
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥2.24530 | 738900 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,193.65712 | 添加到BOM 立即询价 | ||
P-CHANNEL POWER MOSFET | ¥4.27331 | 11070 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,166.56868 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Tc) 最大功耗: 1.5W(Tc) 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥7.09804 | 7763 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.09804 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Tc) 最大功耗: 40W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.89716 | 25614 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,175.76716 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.9A (Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.81073 | 116238 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.49145 | 添加到BOM 立即询价 | ||
RF N-CHANNEL MOSFET | ¥1.23129 | 54000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.61309 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥6.39331 | 795 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6.39331 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Ta)、50A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、60W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥12.89236 | 1590 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.89236 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.24530 | 260459 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,198.14772 | 添加到BOM 立即询价 |