分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 最大功耗: 33W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 (Y-Forming) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.27331 | 2878 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,166.56868 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A(Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥30.42018 | 12271 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥30.42018 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.24530 | 23123 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,159.97764 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta)、46A(Tc) 最大功耗: 1.5W(Ta),56W(Tc) 供应商设备包装: TO-252,(D-Pak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥3.47659 | 212926 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.29978 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12.5A(Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.89716 | 7709 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,201.84160 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.4A (Ta) 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: 3-PICOSTAR 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥7.53262 | 12925 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.53262 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Ta)、56A(Tc) 最大功耗: 2.8W(Ta)、60W(Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥4.27331 | 2400 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,166.56868 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 59A (Tc) 最大功耗: 500W (Tc) 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥30.49261 | 1537 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥30.49261 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Ta)、105A(Tc) 最大功耗: 1.9W(Ta)、176W(Tc) 供应商设备包装: TO-263(D2Pak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥14.77552 | 4965 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.77552 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Tc) 最大功耗: 49W (Tc) 供应商设备包装: TO-252-3 (DPAK) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥3.47659 | 211350 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.29978 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 55W (Ta) 供应商设备包装: TO-263AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥2.89716 | 7500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,201.84160 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.2A(Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: 4-DSBGA(1x1) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥7.60505 | 27959 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.60505 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 56A (Tc) 最大功耗: 105W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.27331 | 1850 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,166.56868 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A(Tc) 最大功耗: 210W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥51.06245 | 849 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥51.06245 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 47A (Tc) 最大功耗: 166W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥15.21009 | 9853 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.21009 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 1.9W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥3.47659 | 177722 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.29978 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL SILICON MOSFET | ¥2.89716 | 7443 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,201.84160 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.4A (Tc) 最大功耗: 37W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥11.44378 | 2500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.44378 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.3A (Tc) 最大功耗: 90W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.27331 | 1518 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,166.56868 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.24530 | 11915 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,198.14772 | 添加到BOM 立即询价 |