分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 35W (Tc) 供应商设备包装: TO-252,(D-Pak) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.89716 | 1050 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,201.84160 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Ta) 最大功耗: 3W (Ta) 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥17.38296 | 4530 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
P-CHANNEL MOSFET | ¥1.95558 | 25315 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,170.69713 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Ta) 最大功耗: 1.4W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥18.10725 | 4629 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.10725 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.96959 | 955000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.70874 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Tc) 最大功耗: 400W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD (IXFH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥56.71191 | 1423 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥56.71191 | 添加到BOM 立即询价 | ||
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥1.95558 | 25000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,170.69713 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Ta), 100A (Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta) 供应商设备包装: 8-VSON-CLIP (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥15.71709 | 9900 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.71709 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥0.43457 | 150000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.43179 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.7A(Ta)、36A(Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 43W (Tc) 供应商设备包装: TO-252,(D-Pak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥2.96959 | 516130 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,197.49586 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥1.95558 | 23800 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,201.98646 | 添加到BOM 立即询价 | ||
P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET | ¥0.43457 | 111000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.43179 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20.3A(Tc) 最大功耗: 62W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥8.47419 | 4788 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.47419 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Tj) 最大功耗: 38W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.95558 | 23487 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,170.69713 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 88W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥2.96959 | 504075 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,197.49586 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 150W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥17.38296 | 252 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.2A(Ta) 最大功耗: 500mW (Ta), 6.25W (Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.43457 | 81000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,234.57951 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta), 22A (Tc) 最大功耗: 2.1W(Ta),23.5W(Tc) 供应商设备包装: TO-220F 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥8.54662 | 1767 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.54662 | 添加到BOM 立即询价 | ||
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | ¥1.95558 | 23228 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,170.69713 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 44A (Tc) 最大功耗: 298W(Tc) 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥57.50863 | 132 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥57.50863 | 添加到BOM 立即询价 |