分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1000伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.6A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta),50W(Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥10.86435 | 9842 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.86435 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥1.95558 | 5075 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,201.98646 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 120伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Tc) 最大功耗: 3.75W (Ta), 150W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥8.25691 | 51028 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,171.56628 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥12.53022 | 5418 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,180.25776 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Tc) 最大功耗: 35W (Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥2.96959 | 13387 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,155.92161 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A(Tc) 最大功耗: 88W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥11.00921 | 5011 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.00921 | 添加到BOM 立即询价 | ||
NFET DPAK SPCL 500V TR | ¥1.95558 | 5000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,170.69713 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17.3A(Tc) 最大功耗: 111W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-4L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥63.95481 | 313 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥63.95481 | 添加到BOM 立即询价 | ||
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥8.25691 | 38000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,171.56628 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 1.8W(Ta)、115W(Tc) 供应商设备包装: TO-263 工作温度: 175摄氏度(TJ) | ¥12.53022 | 5000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,180.25776 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A(Tc) 最大功耗: 55W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥2.96959 | 10244 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,197.49586 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.7A (Tc) 最大功耗: 20W(Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥11.08164 | 1984 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.08164 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Tc) 最大功耗: 100W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥8.25691 | 24825 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,171.56628 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 46A (Tc) 最大功耗: 337W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥64.67910 | 453 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥64.67910 | 添加到BOM 立即询价 | ||
RF N-CHANNEL MOSFET | ¥0.50700 | 9777 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,282.02050 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A(Ta) 供应商设备包装: TO-220ML 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥17.96239 | 268 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,191.41182 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 231W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥12.53022 | 800 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,180.25776 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25.6A(Tc) 最大功耗: 66W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥8.25691 | 6151 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,171.56628 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A(Tc) 最大功耗: 500W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥65.18610 | 1496 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥65.18610 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安(Ta) 最大功耗: 150mW(Ta) 供应商设备包装: 3-sfp 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥0.50700 | 7980 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.35936 | 添加到BOM 立即询价 |