分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Tc) 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥5.55313 | 56 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5.55313 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 460W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD (IXFH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥66.48982 | 195 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥66.48982 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A(Ta)、42A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、78W(Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.79432 | 86504 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Ta) 最大功耗: 20W(Tc) 供应商设备包装: TO-205AF (TO-39) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥12.60265 | 2106 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,180.25776 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.4A (Tc) 最大功耗: 3.75W (Ta), 54W (Tc) 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥2.96959 | 5717 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,197.49586 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 310W (Tc) 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥18.03482 | 787 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,182.21334 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Tc) 最大功耗: 23W(Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥1.95558 | 2855 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,170.69713 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta)、68A(Tc) 最大功耗: 2.8W(Ta)、89W(Tc) 供应商设备包装: DIRECTFETMN 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥21.36656 | 4674 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.36656 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.5A(Tc) 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥67.72112 | 115 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥67.72112 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17.5A(Tc) 最大功耗: 55W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥8.25691 | 764 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,171.56628 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥12.60265 | 1793 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,180.25776 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 49A (Tc) 最大功耗: 128W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥2.96959 | 5196 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,197.49586 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥5.79432 | 70127 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.2A(Ta) 最大功耗: 1.25W(Ta) 供应商设备包装: SOT-23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.89716 | 2868 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.89716 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A(Tc) 最大功耗: 55W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥1.95558 | 2466 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,170.69713 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Tc) 最大功耗: 74W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥8.25691 | 216 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,783.49170 | 添加到BOM 立即询价 | ||
P-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.96959 | 4226 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,197.49586 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 58A (Tc) 最大功耗: 75W (Ta) 供应商设备包装: TO-263AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥5.79432 | 40622 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 215W(Tc) 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥18.17968 | 12400 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,181.56148 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Ta) 最大功耗: 70W (Ta) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.95558 | 1708 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,170.69713 | 添加到BOM 立即询价 |