分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 110W(Tc) 供应商设备包装: TO-251 (IPAK) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥12.38536 | 2355 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.38536 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.1A(Tc) 最大功耗: 55W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.96959 | 3015 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,197.49586 | 添加到BOM 立即询价 | ||
POWER TRANSISTOR, MOSFET | ¥8.40176 | 69000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.05688 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-262 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥12.60265 | 250 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,180.25776 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥18.39697 | 430 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,189.23895 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: 12-BGA(2x2.5) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.79432 | 20644 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 120伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Tc) 最大功耗: 150W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥4.27331 | 1244 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,166.56868 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Tc) 最大功耗: 72W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥6.73590 | 18642 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,189.16652 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥8.40176 | 21000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.05688 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL SILICON MOSFET | ¥2.96959 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,197.49586 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 25W(Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥12.60265 | 1652 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.60265 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥12.67508 | 391 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,180.11290 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 48A (Tc) 最大功耗: 625W (Tc) 供应商设备包装: TO-247 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥75.10887 | 761 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,178.15732 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 700 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.5A (Tc) 最大功耗: 120W(Tc) 供应商设备包装: TO-3PF 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥18.39697 | 295 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,189.23895 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、30W(Tc) 供应商设备包装: TO-252-3 (DPAK) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.02801 | 377158 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.94483 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.8A (Tc) 供应商设备包装: TO-251AA | ¥5.79432 | 13489 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 700 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.5A (Tc) 最大功耗: 104W(Tc) 供应商设备包装: TO-252(DPak) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥10.21249 | 4918 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.21249 | 添加到BOM 立即询价 | ||
4V DRIVE SERIES | ¥6.73590 | 6000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,189.16652 | 添加到BOM 立即询价 | ||
POWER TRANSISTOR, MOSFET | ¥8.40176 | 15000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.05688 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.2A(Tc) 最大功耗: 3.13W(Ta),55W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.96959 | 2934 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,197.49586 | 添加到BOM 立即询价 |