分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.7A (Ta) 最大功耗: 3.8W (Ta), 42W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥5.79432 | 1825 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta), 36A (Tc) 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: TO-252,(D-Pak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥6.80833 | 42639 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.47265 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET | ¥4.34574 | 21000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.90722 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.6A(Tc) 最大功耗: 20W(Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.96959 | 1544 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,197.49586 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Tc) 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥8.47419 | 525 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,177.86760 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 930毫安(Ta) 最大功耗: 360mW (Ta), 2.7W (Tc) 供应商设备包装: DFN1006B-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.65186 | 243343 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.86637 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL AND P-CHANNEL, MOSFETS | ¥80.39619 | 1673 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,251.09332 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 195A(Tc) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥18.75911 | 1009 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.05688 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.02801 | 8367 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,174.02886 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥12.89236 | 37500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,178.80918 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 31W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥14.55823 | 1425 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.55823 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.5A(Ta) 最大功耗: 900mW (Ta), 2.1W (Tc) 供应商设备包装: 8-MLP (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.34574 | 20197 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.17852 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A(Tc) 最大功耗: 180W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥6.80833 | 35157 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.47265 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.6A (Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-252,(D-Pak) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.96959 | 1075 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,197.49586 | 添加到BOM 立即询价 | ||
P-CHANNEL POWER MOSFET | ¥5.79432 | 1300 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Ta) 最大功耗: 3W (Ta) 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥8.54662 | 65979 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,187.93523 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IC POWER MOSFET 1200V HIP247 | ¥81.55505 | 600 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥81.55505 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 42A (Tc) 最大功耗: 99W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥2.02801 | 4285 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.94483 | 添加到BOM 立即询价 | ||
P-CHANNEL POWER MOSFET | ¥12.89236 | 1500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,178.80918 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.96959 | 1050 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,155.92161 | 添加到BOM 立即询价 |