分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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POWER MOSFET | ¥4.34574 | 50000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.90722 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 446W (Tc) 供应商设备包装: TO-247 Long Leads 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥77.64389 | 600 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥77.64389 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥18.68668 | 11000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,186.34179 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Ta) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: 8-WPAK (3) 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥6.74937 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20,248.10700 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Ta) 最大功耗: 55W (Tc) 供应商设备包装: 8-WPAK 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥12.89236 | 637500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,178.80918 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Tc) 最大功耗: 1W(Ta),20W(Tc) 供应商设备包装: TO-252 (MP-3ZK) 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥5.79432 | 2500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A(Tc) 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥2.02801 | 18893 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.94483 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A(Ta) 最大功耗: 750mW (Ta) 供应商设备包装: SC-88(SC-70-6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.65186 | 626694 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.86637 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL SILICON MOSFET | ¥2.96959 | 2000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,197.49586 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥5.82691 | 46 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,491.68973 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 44A (Tc) 最大功耗: 130W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥14.05123 | 2731 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.05123 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥12.89236 | 267500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,178.80918 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12.3A(Ta),56A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、52W(Tc) 供应商设备包装: PG-TDSON-8-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥13.69922 | 8 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥13.69922 | 立即购买 加入购物车 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥5.79432 | 2500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.8A (Tc) 最大功耗: 40W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.96959 | 1616 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,197.49586 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Ta) 供应商设备包装: 8-WPAK 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥8.47419 | 2500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,177.86760 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Tc) 最大功耗: 171W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO247-3-41 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥83.70257 | 1 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥83.70257 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 120W(Tc) 供应商设备包装: TO-247 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥18.75911 | 1617 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.05688 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: TO-252,(D-Pak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥2.02801 | 12343 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.94483 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.9A (Tc) 最大功耗: 42W (Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥14.19608 | 1902 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.19608 | 添加到BOM 立即询价 |