分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.79432 | 3050 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta)、46A(Tc) 最大功耗: 3.3W(Ta),56W(Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥4.34574 | 82353 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.17852 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 450伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.2A(Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.96959 | 2284 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,197.49586 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18.4A(Tc) 最大功耗: 166.7W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥76.41260 | 255 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥76.41260 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 68A (Tc) 最大功耗: 170W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥13.32694 | 3761 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.32694 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥18.54182 | 2189 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,187.93523 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Tc) 最大功耗: 195W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥12.81993 | 4825 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.38861 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: 6-CPH 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥2.02801 | 24000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.94483 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥6.73590 | 1190 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,189.16652 | 添加到BOM 立即询价 | ||
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥5.79432 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥8.40176 | 2000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.05688 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、45W(Tc) 供应商设备包装: TO-252,(D-Pak) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.96959 | 2258 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,197.49586 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Tc) 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥4.34574 | 76828 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.17852 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 500W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD (IXFH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥77.28174 | 140 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥77.28174 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A(Tc) 最大功耗: 70W (Tc) 供应商设备包装: TO-251 (IPAK) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥13.54422 | 2670 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.54422 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 24伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Ta) 最大功耗: 75W (Tj) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.02801 | 22500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.94483 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET | ¥6.73590 | 1089 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,168.95883 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 195W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥12.81993 | 2116 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.38861 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 79A (Tc) 最大功耗: 110W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥21.57443 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5,523.05306 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 3.75W (Ta), 45W (Tc) 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥2.96959 | 2199 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,197.49586 | 添加到BOM 立即询价 |