分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 270毫安(Ta) 最大功耗: 420mW (Ta), 4.2W (Tc) 供应商设备包装: dfn110d-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.40416 | 5000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.40416 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 214W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO262-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥8.32934 | 7459 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,182.28577 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 64A (Tc) 最大功耗: 357W (Tc) 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥69.09727 | 2332 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,211.11251 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥3.46935 | 30 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.46935 | 立即购买 加入购物车 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.96959 | 4050 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,197.49586 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥12.60265 | 539 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,180.25776 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.3A(Ta) 供应商设备包装: 4-HVMDIP | ¥5.79432 | 40377 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.3A(Tc) 最大功耗: 3.13W(Ta),49W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.95558 | 1672 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,170.69713 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 31A (Tc) 最大功耗: 3.13W(Ta)、180W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥18.17968 | 4976 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,181.56148 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 300毫安 (Ta) 最大功耗: 350mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-323 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.11445 | 7609 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.11445 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A(Tc) 最大功耗: 500W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥14.03457 | 75 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥14.03457 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 450伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: TO-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥8.32934 | 1201 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,182.28577 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Tc) 最大功耗: 20W(Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥12.16807 | 1188 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.16807 | 添加到BOM 立即询价 | ||
P-CHANNEL SILICON MOSFET | ¥2.96959 | 3500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,197.49586 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20.2A(Tc) 最大功耗: 151W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO247-3-41 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥12.60265 | 310 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,180.25776 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A(Ta)、42A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、78W(Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.79432 | 24149 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: TO-263AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥18.32454 | 805 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,180.61990 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Tc) 最大功耗: 25W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.95558 | 1323 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,587.23631 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥0.57943 | 879000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,174.02886 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A(Tc) 最大功耗: 136W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-7-12 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥90.02925 | 1976 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥90.02925 | 添加到BOM 立即询价 |