小型SOT23中的P沟道增强型场效应晶体管（FET）
使用沟槽MOSFET的（TO-236AB）表面安装器件（SMD）塑料封装
技术
♦ 逻辑电平兼容
♦ 非常快的切换
♦ 沟槽MOSFET技术
♦ 1 kV以下的ESD保护
♦ AEC-Q101合格
BSS84AKQBZ
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 270毫安（Ta） 最大功耗: 420mW (Ta), 4.2W (Tc) 供应商设备包装: dfn110d-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安世半导体 (Nexperia)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 3.40416 | 3.40416 |
| 10+ | 2.54225 | 25.42258 |
| 100+ | 1.43988 | 143.98890 |
| 500+ | 0.95374 | 476.87250 |
| 1000+ | 0.73117 | 731.17100 |
| 2000+ | 0.63578 | 1271.56400 |
| 5000+ | 0.57218 | 2860.94500 |
| 10000+ | 0.50859 | 5085.96000 |
| 25000+ | 0.47687 | 11921.82500 |
- 库存: 5000
- 单价: ¥3.40416
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.40
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 制造厂商 安世半导体 (Nexperia)
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 场效应管类型 P-通道
- 漏源电压标 (Vdss) 50 V
- 安装类别 表面安装，可润湿侧翼
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.1V@250A.
- 漏源电流 (Id) @ 温度 270毫安（Ta）
- 导通电阻 Rds(ON) 7.5欧姆 @ 100毫安, 10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 0.6 nC@10 V
- 最大栅源极电压 (Vgs) +12伏、-20伏
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 23.2 pF@25 V
- 最大功耗 420mW (Ta), 4.2W (Tc)
- 供应商设备包装 dfn110d-3
- 包装/外壳 3-XDFN外露衬垫
BSS84AKQBZ 产品详情
BSS84AKQBZ 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BSS63LT1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS PNP 100V 100MA SOT-23 | ¥0.14486 |
 | BSS63,215 | 恩智浦 (NXP) | TRANS PNP 100V 100MA SOT23 | ¥0.14486 |
 | BSS159NH6327XTSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 230毫安（Ta） 最大功耗: 360mW (Ta) 供应商设备包装: PG-SOT23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.41817 |
| BSS169H6327 | 英飞凌 (Infineon) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：170mA 功率(Pd)：360mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6Ω@10V,170mA | ¥3.29997 |
 | BSS308PEH6327 | 英飞凌 (Infineon) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：80mΩ@10V,2A | ¥1.30769 |
 | BSS138PS | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.41679 |
| BSS138NH6327-ES | 静芯微 (ElecSuper) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA | ¥0.05442 |
| BSS131 | 华轩阳电子 (HXY MOSFET) | 暂无 | ¥0.54386 |
| BSS138LT1G-ES | 静芯微 (ElecSuper) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA | ¥0.09695 |
| BSS138W-7-F-ES | 静芯微 (ElecSuper) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA | ¥0.09309 |
BSS84AKQBZ所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，BSS84AKQBZ 由 安世半导体 (Nexperia) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BSS84AKQBZ价格参考￥3.404163，你可以下载 BSS84AKQBZ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BSS84AKQBZ规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安世半导体 (Nexperia)
Nexperia是大批量生产基本半导体的领先专家，这些半导体是世界上每一种电子设计所需的元件。该公司广泛的产品组合包括二极管、双极晶体管、ESD保护装置、MOSFET、GaN FET以及模拟和逻辑IC。...
