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BSS308PEH6327
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BSS308PEH6327

  • 描述:类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):2A 功率(Pd):500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@10V,2A
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 1.30769 1.30769
10+ 1.05420 10.54204
30+ 0.93051 27.91530
100+ 0.69993 69.99320
600+ 0.66966 401.79840
1200+ 0.65147 781.77240
  • 库存: 40975
  • 单价: ¥1.30769
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥1.31
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规格参数

  • 类型 P沟道
  • 漏源电压(Vdss) 30V
  • 连续漏极电流(Id) 2A
  • 功率(Pd) 500mW
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 80mΩ@10V,2A
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@11uA
BSS308PEH6327所属分类:分立场效应晶体管 (FET),BSS308PEH6327 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BSS308PEH6327价格参考¥1.307691,你可以下载 BSS308PEH6327中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BSS308PEH6327规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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