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BSS169H6327
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BSS169H6327

  • 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):170mA 功率(Pd):360mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6Ω@10V,170mA
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.29996 3.29996
10+ 2.73245 27.32456
30+ 2.45921 73.77633
100+ 2.20698 220.69840
500+ 2.13341 1066.70900
1000+ 2.09138 2091.38000
  • 库存: 4617
  • 单价: ¥3.29997
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.30
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规格参数

  • 类型 N沟道
  • 漏源电压(Vdss) 100V
  • 连续漏极电流(Id) 170mA
  • 功率(Pd) 360mW
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 6Ω@10V,170mA
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.8V@50uA
BSS169H6327所属分类:分立场效应晶体管 (FET),BSS169H6327 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BSS169H6327价格参考¥3.299967,你可以下载 BSS169H6327中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BSS169H6327规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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