BSS138LT1G-ES
- 描述:类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA
- 品牌: 静芯微 (ElecSuper)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.09694 | 0.09694 |
| 10+ | 0.07566 | 0.75667 |
| 30+ | 0.06384 | 1.91538 |
| 100+ | 0.05674 | 5.67480 |
| 600+ | 0.05060 | 30.36360 |
| 1200+ | 0.04729 | 56.75520 |
- 库存: 12585
- 单价: ¥0.09695
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.10
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 50V
- 连续漏极电流(Id) 300mA
- 功率(Pd) 300mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 1.5Ω@10V,500mA
BSS138LT1G-ES 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BSS63LT1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS PNP 100V 100MA SOT-23 | ¥0.14486 |
| BSS63,215 | 恩智浦 (NXP) | TRANS PNP 100V 100MA SOT23 | ¥0.14486 |
 | BSS159NH6327XTSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 230毫安（Ta） 最大功耗: 360mW (Ta) 供应商设备包装: PG-SOT23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.41817 |
| BSS169H6327 | 英飞凌 (Infineon) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：170mA 功率(Pd)：360mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6Ω@10V,170mA | ¥3.29997 |
 | BSS308PEH6327 | 英飞凌 (Infineon) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：80mΩ@10V,2A | ¥1.30769 |
 | BSS138PS | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.41679 |
| BSS138NH6327-ES | 静芯微 (ElecSuper) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA | ¥0.05442 |
| BSS131 | 华轩阳电子 (HXY MOSFET) | 暂无 | ¥0.54386 |
| BSS138LT1G-ES | 静芯微 (ElecSuper) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA | ¥0.09695 |
| BSS138W-7-F-ES | 静芯微 (ElecSuper) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA | ¥0.09309 |
BSS138LT1G-ES所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，BSS138LT1G-ES 由 静芯微 (ElecSuper) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BSS138LT1G-ES价格参考￥0.096946，你可以下载 BSS138LT1G-ES中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BSS138LT1G-ES规格参数、现货库存、封装信息等信息！
静芯微 (ElecSuper)
湖南静芯微电子技术有限公司是一家专业提供全芯片高性能ESD/TVS集成设计服务和ESD/TVS/TSS/MOS等分立器件产品的集成电路设计公司。研发团队由经验丰富的分立器件研发留学归国人员组成。 公司获...
