分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A(Ta)、137A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta),63W(Tc) 供应商设备包装: DirectFET等距M4 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥26.79873 | 8505 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26.79873 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 110W(Tc) 供应商设备包装: TO-252,(D-Pak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥4.34574 | 3524 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.17852 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: TO-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥5.86675 | 1790 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.83038 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Ta)、50A(Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 52W (Tc) 供应商设备包装: TO-252,(D-Pak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥3.11445 | 217895 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,192.57069 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Ta)、66A(Tc) 最大功耗: 1.8W(Ta)、39W(Tc) 供应商设备包装: MLPAK33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.14246 | 6000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.14246 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 320毫安 (Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: 4-HVMDIP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥17.16567 | 2340 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.16567 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Ta) 最大功耗: 800mW (Ta) 供应商设备包装: 6-SCH 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥0.65186 | 35000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.86637 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A 供应商设备包装: TO-263AB | ¥4.34574 | 3005 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.17852 | 添加到BOM 立即询价 | ||
POWER TRANSISTOR, MOSFET | ¥5.93918 | 265000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.67833 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 22.8A(Ta),49A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、104W(Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.80833 | 1993 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.47265 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tj) 最大功耗: 27W(Tc) 供应商设备包装: TO-220F 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥13.10965 | 3998 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.10965 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 36W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥17.31053 | 1108 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.31053 | 添加到BOM 立即询价 | ||
RF N-CHANNEL MOSFET | ¥2.10044 | 1950000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,171.85599 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.2A(Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: 3英里/小时 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥0.65186 | 21000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.86637 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥8.61905 | 2600 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.00085 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥4.34574 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.90722 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.4A (Tc) 最大功耗: 90W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.11445 | 132000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,192.57069 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 25W(Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥13.10965 | 1776 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.10965 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Tc) 最大功耗: 74W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥17.38296 | 1117 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.38296 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Tc) 最大功耗: 73W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.10044 | 475473 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,165.55467 | 添加到BOM 立即询价 |