什么是分立场效应晶体管 (FET):
分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用，其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用，高于该电压的其他器件类型（例如 IGBT）将变得更具竞争力。
工作温度:
- -25摄氏度~125摄氏度（TJ）
- -25摄氏度~150摄氏度（TJ）
- -65摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 175摄氏度（TJ）
- 150摄氏度（TJ）
- 150摄氏度
- -55摄氏度~125摄氏度
- 175摄氏度
- -50摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 150摄氏度（TA）
- -60摄氏度~175摄氏度（TJ）
- -55摄氏度~125摄氏度（TJ）
- -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- -65摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 125摄氏度（TJ）
- -55摄氏度~175摄氏度（TA）
- -50摄氏度~175摄氏度（TJ）
- -40摄氏度~150摄氏度（TJ）
- -55摄氏度~110摄氏度（TA）
- -40摄氏度~125摄氏度（TJ）
- 0摄氏度~150摄氏度（TJ）
- -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- -55摄氏度~150摄氏度（TA）
- -55摄氏度 ~ 135摄氏度（TJ）
- -40摄氏度~175摄氏度（TJ）
- -55摄氏度~200摄氏度（TJ）
- -55摄氏度~185摄氏度（TJ）
- -40摄氏度~110摄氏度（TA）
- -55摄氏度~150摄氏度
- -55摄氏度~125摄氏度（TA）
- -55摄氏度～155摄氏度（TJ）
- -55摄氏度~175摄氏度
- -55摄氏度~225摄氏度（TJ）
- -40摄氏度~85摄氏度（TA）
更多
最大功耗:
- 130W（Tc）
- 175W（Tc）
- 1W（Ta）
- 96W（Tc）
- 2.5W（Ta）、37W（Tc）
- 300mW (Ta)
- 227W（Tc）
- 560mW (Ta), 12.5W (Tc)
- 165瓦
- 242W（Tc）
- 298mW（Ta）
- 3.7W (Ta), 43W (Tc)
- 3W (Ta), 125W (Tc)
- 3.8W (Ta), 94W (Tc)
- 60W (Tc)
- 350mW (Ta)
- 33.8W (Tc)
- 99W（Tc）
- 125W（Tc）
- 652mW (Ta), 7.5W (Tc)
- 580W (Tc)
- 30W (Tc)
- 550W (Tc)
- 2.8W（Ta）
- 950毫瓦（Ta）
- 2.5W（Ta）、25W（Tc）
- 115W（Tc）
- 1.1W（Ta）
- 500W (Tc)
- 481W (Tc)
- 1.7W（Ta）、12.5W（Tc）
- 54W (Tc)
- 120mW（Ta）
- 470W (Tc)
- 42W (Tc)
- 1.25W（Ta）
- 2.8W（Ta）、189W（Tc）
- 1.7W（Ta）
- 200W（Tc）
- 2.3W（Ta）、31W（Tc）
- 298W（Tc）
- 85W (Tc)
- 360mW (Ta)
- 690W (Tc)
- 3.2W（Ta）、156W（Tc）
- 91W（Tc）
- 1.6W（Ta）
- 326W (Tc)
- 45W (Tc)
- 75W (Tc)
- 35W (Tc)
- 1.5W（Ta）
- 320mW (Ta)
- 135W（Tc）
- 78W (Tc)
- 68W (Tc)
- 2.5W（Ta）
- 417W (Tc)
- 38W (Tc)
- 56.8W (Tc)
- 2.1W（Ta）、60W（Tc）
- 333W (Tc)
- 3W (Ta), 25W (Tc)
- 207W（Tc）
- 2.1W（Ta）、113W（Tc）
- 220W（Tc）
- 6.2W (Ta), 60W (Tc)
- 103W（Tc）
- 250W（Tc）
- 3.1W（Ta）、32W（Tc）
- 2.3W（Ta）、54W（Tc）
- 2.14W（Ta）
- 150mW（Ta）
- 1.98W（Ta），9.6W（Tc）
- 208W（Tc）
- 500mW (Ta)
- 462W (Tc)
- 50W (Tc)
- 800mW (Ta)
- 1.3W（Ta）
- 830mW (Tc)
- 1W（Tc）
- 1.8W（Ta）
- 3.8W (Ta), 200W (Tc)
- 1.2W（Ta）
- 110W（Tc）
- 1.9W（Ta）
- 254.2W（Tc）
- 123W（Tc）
- 86W (Tc)
- 3.1W（Ta）
- 417mW (Ta)
- 107W（Tc）
- 74W (Tc)
- 520W (Tc)
- 2W（Ta）
- 180W（Tc）
- 2.3W（Ta），50W（Tc）
- 2.5W（Ta），50W（Tc）
- 300W (Tc)
更多
漏源电压标 (Vdss):
- 1200伏
- 220伏
- 28伏
- 50 V
- 200伏
- 530 V
- 16伏
- 135伏
- 52 V
- 24伏
- 75 V
- 115伏
- 36伏
- 12伏
- 20伏
- 190伏
- 40伏
- 170伏
- 150伏
- 130伏
- 90 V
- 2200伏
- 4500伏
- 1050伏
- 1500伏
- 560 V
- 1100伏
- 330伏
- 100伏
- 520 V
- 49伏
- 5 V
- 65 V
- 25伏
- 33伏
- 45伏
- 16.5伏
- 9 V
- 415伏
- 280伏
- 80 V
- 2500伏
- 240伏
- 175伏
- 450伏
- 620 V
- 59 V
- 400伏
- 800 V
- 550 V
- 2000伏
- 1400伏
- 3300伏
- 18伏
- 38伏
- 125伏
- 14伏
- 55 V
- 105伏
- 34伏
- 180伏
- 10伏
- 30伏
- 160伏
- 650 V
- 70 V
- 900 V
- 120伏
- 750 V
- 1000伏
- 350伏
- 950伏
- 4700 V
- 4000伏
- 68 V
- 600 V
- 300伏
- 850 V
- 1700伏
- 110伏
- 275伏
- 60 V
- 85 V
- 500 V
- 15伏
- 6 V
- 35伏
- 525 V
- 8 V
- 700 V
- 43伏
- 250伏
- 3000伏
- 230伏
- 640 V
- 480伏
更多
漏源电流 (Id) @ 温度:
- 41A (Tc)
- 31A (Tc)
- 84A (Tc)
- 64A (Tc)
- 37.9A (Tc)
- 8.6A (Tc)
- 6.2A (Ta)
- 54A (Tc)
- 8A (Tc)
- 1.2A（Tj）
- 6A (Ta)
- 22A（Tc）
- 61A (Tc)
- 3.8A (Ta)
- 77A (Tc)
- 21A（Tc）
- 2.2A（Ta）
- 200A（Tc）
- 2A（Ta）
- 45A (Ta), 100A (Tc)
- 4.3A (Ta)
- 15A（Ta）
- 120A（Tc）
- 4.3A (Ta), 22.5A (Tc)
- 5.6A (Tc)
- 4A (Ta)
- 5.5A (Ta)
- 4.5A (Tc)
- 3.4A（Ta）
- 300毫安 (Ta)
- 135A（Tc）
- 8.6A (Ta)
- 49A (Tc)
- 3A (Tc)
- 94A（Tc）
- 2.3A（Ta）
- 25A（Tc）
- 160A（Tc）
- 200毫安（Ta）
- 5.6A (Ta)
- 32A (Tc)
- 1A（Ta）
- 4.1A (Ta)
- 800毫安 (Ta)
- 10A（Ta）
- 15A（Tc）
- 7.2A (Ta)
- 100A（Tc）
- 7.7A (Tc)
- 55A (Tc)
- 12A（Tc）
- 13A（Ta）、30A（Tc）
- 5.5A (Tc)
- 28A（Tc）
- 4.5A (Ta)
- 140A（Tc）
- 1.7A（Ta）
- 48A (Tc)
- 9.5A (Tc)
- 5.2A (Tc)
- 1.9A（Tc）
- 2.6A（Ta）
- 1.6A（Ta）
- 25A（Ta）、28A（Tc）
- 100毫安（Ta）
- 85A (Tc)
- 9.2A (Tc)
- 30A (Tc)
- 50A (Tc)
- 70A (Tc)
- 24A（Ta）、162A（Tc）
- 10A（Ta）、12A（Tc）
- 5.8A (Ta)
- 35毫安 (Ta)
- 530毫安 (Tj)
- 9A（Tc）
- 2.8A（Ta）
- 16A（Tc）
- 23A（Ta）
- 65A (Tc)
- 20.7A（Tc）
- 11A（Tc）
- 2.7A（Tc）
- 76A (Tc)
- 14A（Ta）
- 22A（Ta）、160A（Tc）
- 209A（Tc）
- 140毫安（Ta）
- 13A（Ta）、50A（Tc）
- 47A (Tc)
- 13A（Ta）、40A（Tc）
- 350毫安 (Ta)
- 26A（Tc）
- 3.2A（Ta）
- 20A（Tc）
- 3.5A（Ta）
- 2A（Tc）
- 52A (Tc)
- 5.1A (Tc)
- 96A（Tc）
更多
制造厂商:
- 瞻芯电子 (Inventchip)
- 恩智浦 (NXP)
- 光宇睿芯 (SINO-IC)
- 韦尔 (WILLSEMI)
- 西门子 (Siemens)
- 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed)
- 中央半导体 (Central)
- 赛米奇公司 (SemiQ)
- 合科泰 (Hottech)
- 特朗斯峰 (Transphorm)
- 南京微盟 (MICRONE)
- 安世半导体 (Nexperia)
- 东芝 (Toshiba)
- 扬杰 (YANGJIE)
- 华科 (HUAKE)
- 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
- 伯恩半导体 (BORN)
- 瑞森半导体 (REASUNOS)
- 高福德 (Goford)
- 力特 (Littelfuse)
- 威兆 (Vanguard)
- 静芯微 (ElecSuper)
- 科信 (KEXIN)
- 恒佳兴 (HX)
- 安森德 (Ascend)
- 达尔科技 (Diodes rporated)
- 德昌 (TC)
- 无锡新洁能 (NCE)
- 德州仪器 (Texas)
- 霍尼韦尔航天 (Honeywell)
- 信安 (Truesemi)
- 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
- 固态公司 (Solid State )
- 杰盛微 (JSMSEMI)
- 美国怀格 (Vicor)
- 华羿微 (HUAYI)
- 模拟器件公司 (Analog)
- 蓝箭 (BLUE ROCKET)
- 安世 (Nexperia)
- 捷捷微 (JJW)
- 泰德 (code)
- 罗切斯特电子 (Rochester)
- 锐骏半导体 (Ruichips)
- 萨科微 (Slkor)
- 基因半导体公司 (GeneSiC)
- 上海贝岭 (BL)
- 富信 (FOSAN)
- 士兰微 (SILAN)
- 乐山无线电 (LRC)
- 微型商业组件 (Micro)
- 英飞凌 (Infineon)
- 司坦森 (STANSON)
- 扬州扬杰 (Yangzhou Yangjie)
- 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 华轩阳电子 (HXY MOSFET)
- 安盛美 (onsemi)
- 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 威世二极管 (Vishay General)
- 源芯半导体 (SPS)
- 松下电子元件 (Panasonic)
- 谷峰 (GOFORD)
- 强茂 (Panjit)
- 微芯 (Microchip)
- 瑞特隆 (Rectron)
- 欧普泰克 (TT)
- 铨力 (ALLPOWER)
- 美国微芯 (MICROCHIP)
- 芯导 (Prisemi)
- 特瑞仕 (Torex)
- 时科 (SHIKUES)
- NTE电子 (NTE)
- 罗姆 (Rohm)
- 迪浦 (PUOLOP)
- DComponents (DComponents)
- 艾赛斯.力特 (IXYS)
- KUU电子科技 (KUU)
- 富芯森美 (FUXINSEMI)
- 华润微 (CRMICRO)
- 碳化硅（SiC）功率半导体制造商 (UnitedSiC)
- 三垦电气株式会社 (Sanken)
- 华朔 (HUASHUO)
- 平晶微 (PJSEMI)
- 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor)
- EPC公司 (EPC)
- 江苏长电/长晶 (CJ)
- 微硕 (WINSOK)
- 台湾典琦科技股份有限公司 (Comchip)
- 美森科 (MSKSEMI)
- 富晶 (FORTUNE)
- 台舟 (TECH PUBLIC)
- 瑞萨电子 (Renesas)
- 德欧泰克半导体 (Diotec)
- 广东友台半导体 (UMW)
- 迈凌微 (MaxLinear)
- 固得沃克 (GOODWORK)
- 佳尔科工业电子 (Galco)
- 思佳讯商贸 (Skyworks)
更多
场效应管类型:
- P-通道
- n通道
供应商设备包装:
- Micro6（SOT23-6）
- PowerDI3333-8
- 8-SO
- 6-TSOP
- SC-70-3
- TO-263-7
- Power33
- TO-247N
- DPAK (TO-263)
- PG-SOT-23-3
- SOT-23-6
- SOT-23-3
- 8-DFN (5x6)
- TO-220AB Full-Pak
- SOT-223
- 4-HVMDIP
- TO-39
- TO-268HV (IXFT)
- PG-TDSON-8 FL
- TO-252（DPak）
- PG-TO263-3-2
- PG-TO220-3-1
- Micro6（TSOP-6）
- TO-263（D2Pak）
- ES6
- TSMT3
- 3-PFN（8x8）
- TO-268AA
- SOT-89
- TO-220-3
- TO-247-4
- TO-247-3
- TO-220
- Die
- PG-SOT223-4
- SOT-89-3
- DFN2020MD-6
- MPT3
- 6-CPH
- DirectFET等距M4
- TO-263AA
- SuperSOT-6.
- TO-92
- TO-247-4L
- PG-TO252-3
- DIRECTFETMX
- TO-220FP
- 8-DFN-EP (3x3)
- TO-92-3
- VMT3
- TO-247 (IXTH)
- 6-DFN (2x2)
- PG-SC59-3
- 8-HSOP
- TUMT3
- TO-251AA
- PG-TO220-3
- 4-DSBGA（1x1）
- 3-XLLGA（0.62-0.62）
- SOT-23
- 8-Dual Cool88
- DPAK
- D2PAK
- 6-UDFNB (2x2)
- PG-TO247-3
- TO-220F-3
- SOT-223-3
- SOT-223-4
- D-Pak
- TO-264 (IXTK)
- IPAK (TO-251AA)
- PowerFlat（8x8）高压
- TO-220AB
- TO-236AB
- 4-PICOSTAR
- Power88
- D-PAK (TO-252)
- TO-247AD (IXFH)
- TO-3P
- 8-SOP Advance (5x5)
- PG-TSON-8-4
- 3-PICOSTAR
- PG-TO247-3-1
- TO-247AC
- TO-262
- TO-3PN
- U-dfn1161-6
- 8-SOIC
- PowerDI3333-8 (Type UX)
- U-WLB1010-4
- UFM
- PG-TO252-3-11
- 6-PQFN (2x2)
- 9-DSBGA
- PG-TO220-FP
- TO-252-3
- 3-XDFN（0.42x0.62）
- PG-SOT89-4-2
- SOT-323
- PLUS247-3.
更多
久芯自营
原装正品 1片起订 快至当天发货
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SYNCHRONOUS BUCK MOSFET D | ¥0.65186 | 9329 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.86637 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13.8A（Tc） 最大功耗: 104W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO262-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.64850 | 30 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,927.42250 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Ta) 最大功耗: 35W (Tc) 供应商设备包装: 8-WPAK (3) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥4.34574 | 2890 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.90722 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥5.93918 | 20000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.67833 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Ta） 最大功耗: 2.5W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.80833 | 1941 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.47265 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.1A (Ta) 最大功耗: 3W (Ta) 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥13.18208 | 13740 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,175.04287 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Tc） 最大功耗: 110W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥17.45539 | 1831 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.45539 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Ta) 最大功耗: 1.8W（Ta） 供应商设备包装: 9-BGA (2x2.1) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.10044 | 157309 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,165.55467 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | P-CHANNEL SILICON MOSFET | ¥0.65186 | 6000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.86637 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16.5A（Ta） 最大功耗: 3W (Ta) 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥8.61905 | 498 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,189.23895 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 3.1W（Ta）、120W（Tc） 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥11.91095 | 1 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5,931.65260 | 立即购买 加入购物车 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥5.93918 | 18000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.67833 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 285W（Tc） 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥6.80833 | 1880 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.47265 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL SILICON MOSFET | ¥13.18208 | 1308 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,175.04287 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | RF N-CHANNEL MOSFET | ¥2.10044 | 87000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,171.85599 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Tc） 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: PowerFlat（8x8）高压 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥28.17488 | 6000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28.17488 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET | ¥0.65186 | 5560 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.86637 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 84A (Tc) 最大功耗: 4.2W (Ta), 63W (Tc) 供应商设备包装: PQFN（5x6） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.93918 | 16000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.61750 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.3A (Tc) 最大功耗: 63W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.34574 | 1791 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,177.21574 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Ta) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: TO-263AB 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.11445 | 75543 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,192.57069 | 添加到BOM 立即询价 |