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FDI045N10A_F102带有引脚细节，包括管封装，设计用于0.073511盎司单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供I2PAK-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供263 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为26 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为120 A，并且Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.8mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型接通延迟时间为23ns，Qg栅极电荷为54nC，正向跨导最小值为132S，沟道模式为增强。
FDI038AN06AO，带有FAIRCHILD制造的用户指南。FDI038AN06AO采用TO-262封装，是IC芯片的一部分。
FDI045N10A是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3。FDI045N10A可用于TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3、N沟道100V 120B（Tc）263W（Tc）通孔I2PAK。
