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FDI038AN06A0是MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB，包括PowerTrench系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于FDI038AN06A0_NL，提供单位重量功能，如0.073511盎司，安装样式设计用于通孔，以及I2PAK-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为310 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为60 ns，上升时间为144 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为80A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-电源电阻为3.5m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为34ns，典型接通延迟时间为17ns，沟道模式为增强。
FDI030N06是MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK，包括60V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在单位重量为0.084199盎司的情况下工作，数据表注释中显示了39纳秒的典型开启延迟时间，提供了典型的关闭延迟时间功能，例如54纳秒，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，上升时间为178 ns，该器件的漏极电阻为3.2 mOhms Rds，该器件具有231 W的Pd功耗，封装为管，封装外壳为I2PAK-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+175 C，且Id连续漏极电流为193A，且正向跨导Min为154S，且下降时间为33ns，且配置为单一。
FDI038AN是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB。FDI038AN有TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB。
FDI038AN06AO，带有FAIRCHILD制造的EDA/CAD模型。FDI038AN06AO采用TO-262封装，是IC芯片的一部分。
