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FQB30N06LTM是MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK，包括卷轴封装，其设计为单位重量0.046296盎司，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供3.75 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为110 ns，上升时间为210 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为32 A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds漏极漏极-漏极电阻为35mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为60ns，典型接通延迟时间为15ns，正向跨导最小值为24S，沟道模式为增强。
FQB30N06T，带有FSC制造的用户指南。FQB30N06T可用于TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK。
FQB30N06TM是FSC制造的MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK。FQB30N06TM可用于TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK、N沟道60V 30B（Tc）3.75W（Ta）、79W（Tc）表面安装D？PAK（至263AB）。
FQB32N12V2是FSC制造的MOSFET N-CH 120V 32A D2PAK。FQB32N12V2在TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 120V 32A D2PAK。
